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J-GLOBAL ID：201702285901201334   整理番号：17A0352501

DFT+U法で計算したOドープSiGeの電子構造【Powered by NICT】

Electronic structure of O-doped SiGe calculated by DFT+U method

著者 (3件)： Zhao Zongyan (Faculty of Materials Science and Engineering, Kunming University of Science and Technology) ,  Yang Wen (Yunnan Normal University) ,  Yang Peizhi (Yunnan Normal University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 12  ページ： 127101-1-127101-13  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe合金,微細構造及びOドープSiGe(の特性の両方に及ぼす酸素のドーピング効果を理解するより深くするためにバルク,(001)表面と(110)表面)は本研究でDFT+U法で計算した。計算結果は次の通りである。(i)(110)表面は,SiGeの主な露光表面におけるO不純物は表面空孔サイトを優先的に占有する。(ii)SiGe(110)表面上のO格子間ドーピングに対して,バンドギャップにおけるOドーピングに起因するエネルギー状態の存在は赤外光吸収を高めるばかりでなく,光生成キャリアの挙動を改善した。(iii)OドープSiGe(110)表面の減少した表面仕事関数についての知見は,以前の実験的観察を確認できた。(iv)全てのケースで,O実行は主にバンドギャップ近傍の電子構造を誘導する変化するが,これらの変化に直接関与しない。,本研究におけるこれらの知見は文献に報告された実験知見のいくつかの対応する基になる機構の更なる説明と解析を行ったが,今後ともμc SiGeベース太陽電池の開発に貢献できる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 露光 ,  *ドーピング ,  不純物 ,  光生成 ,  酸素 ,  太陽電池 ,  バンドギャップ ,  密度汎関数法 ,  仕事関数
準シソーラス用語： 赤外吸収 ,  エネルギー状態 ,  ドーピング効果 ,  SiGe合金 ,  *シリコンゲルマニウム ,  *DFT+U , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SiGe合金 ,  Oドーピング ,  電子構造 ,  密度汎関数理論(DFT)計算

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： DFT+U ,  計算 ,  ドープ ,  SiGe ,  電子構造