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J-GLOBAL ID：201702286065133278   整理番号：17A1774533

順方向バイアス条件下でのSi MOSFETの電気熱的挙動に及ぼす多孔とドレインメタライゼーション厚さの影響の評価【Powered by NICT】

Evaluation of multi-void and drain metallization thickness effects on the electro thermal behavior of Si MOSFET under forward bias conditions

著者 (3件)： Tran S. H. (IFSTTAR INSTITUTE, 25 alle ́e des Marronniers, 78000 Versailles, France) ,  Dupont L. (IFSTTAR INSTITUTE, 25 alle ́e des Marronniers, 78000 Versailles, France) ,  Khatir Z. (IFSTTAR INSTITUTE, 25 alle ́e des Marronniers, 78000 Versailles, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPE’17 ECCE Europe  ページ： P.1-P.10  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一および多重ボイド位置効果は電熱観点から強調した。相補的数値的研究は,これらの効果はMOSFETチップの裏面メタライゼーションの性質に強く依存することを示した。電熱モデリングの連成解析とこれらの結論をもたらすことを実験に基づく方法論を詳述した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： モデリング ,  *MOSFET ,  電気加熱 ,  多重化 ,  *バイアス ,  *メタライゼーション
準シソーラス用語： 連成解析 ,  位置効果 ,  *影響評価 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 順 ,  バイアス ,  Si ,  MOSFET ,  挙動 ,  多孔 ,  厚さ ,  影響の評価