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J-GLOBAL ID：201702286081583403   整理番号：17A1639079

近紫外発光ダイオード効率AlGaN/InGaNベースのCr/ITO半透明n型電極【Powered by NICT】

Cr/ITO semi-transparent n-type electrode for high-efficiency AlGaN/InGaN-based near ultraviolet light-emitting diodes

著者 (4件)： Kim Hwankyo (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul, 02841, South Korea) ,  Kim Dae-Hyun (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul, 02841, South Korea) ,  Seong Tae-Yeon (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul, 02841, South Korea) ,  Seong Tae-Yeon (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Seoul, 02841, South Korea)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 872-877  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の半透明Cr/ITO n型接触を用いて作製した近紫外(NUV)(390 nm)発光ダイオード(LED)の電気的性能を調べた。は400°Cでのアニーリング後,Cr/ITO(10 nm/40 nm)接触した9.8×10~ 4Ωcm~2の比接触抵抗のオーミックことが示された。異なるCr/ITO(6 12 nm/40 nm)電極を用いて作製した近紫外AlGaN系LEDは20mAの注入電流,Cr/Ni/Au(20 nm/25 nm/200 nm)電極(3.29 V)を有する参照LEDのそれに似たで3.27 3.30Vの順方向バイアス電圧を示した。Cr/ITO電極を有するLEDは10.69 11.98Ωの直列抵抗を与えたが,直列抵抗は,参照LEDのための10.84Ωである。Cr/ITO試料の透過率は有意に改善し400°Cでアニールしたときアニールした試料の透過率(390nmで25.8 45.2%)はCr層の厚さの増加と共に減少した。Cr/ITO電極を持つLEDは,参照LED(Cr/Ni/Au電極)よりも高い光出力を示した。特に,Cr/ITO(12 nm/40 nm)電極を有するLEDは,参照LEDよりも100mAで9.3%の高い光出力を示した。X線光電子分光法(XPS)と電気的結果に基づいて,オーム形成機構を記述し,議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  焼なまし ,  透過率 ,  *近紫外線 ,  X線光電子スペクトル ,  *クロム ,  X線光電子分光法 ,  *発光ダイオード
準シソーラス用語： 光出力 ,  直列抵抗 ,  ITO電極 ,  バイアス電圧 ,  比接触抵抗 ,  *半透明 ,  *InGaN ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cr/ITO ,  電極 ,  紫外発光ダイオード ,  Transmittance

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 紫外発光ダイオード ,  AlGaN ,  InGaN ,  Cr ,  ITO ,  半透明