文献

J-GLOBAL ID：201702286082757643   整理番号：17A0855414

CaO表面上のSeO_2吸着:単一SeO_2分子の吸着に関するDFT研究【Powered by NICT】

SeO₂ adsorption on CaO surface: DFT study on the adsorption of a single SeO₂ molecule

著者 (5件)： Fan Yaming (Key Laboratory for Thermal Science and Power Engineering of Ministry of Education, Department of Thermal Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zhuo Yuqun (Key Laboratory for Thermal Science and Power Engineering of Ministry of Education, Department of Thermal Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Lou Yu (Key Laboratory for Thermal Science and Power Engineering of Ministry of Education, Department of Thermal Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zhu Zhenwu (Key Laboratory for Thermal Science and Power Engineering of Ministry of Education, Department of Thermal Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Li Liangliang (Key Laboratory of Advanced Materials, Department of Material Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 413  ページ： 366-371  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレンは石炭中の有害元素である。石炭燃焼の間に,ほとんどのセレンが煙道ガス中のSeO_2性に変化した。,特にCaO,Ca系吸着剤は,その低コストのためにSeO_2を吸着する潜在的な吸着剤と考えられている。本論文では,CaO表面上の単一SeO_2の吸着機構を,密度汎関数理論(DFT)計算により調べた。物理吸着と化学吸着構造を決定した。CaO表面上のSeO_2の吸着は主として化学吸着が同定されているが,物理吸着プロセスの初期段階で影響を及ぼす。O_2雰囲気下で,セレン酸塩が形成することが困難である。吸着生成物の大部分は,亜セレン酸塩である。さらに,電子密度マップは,表面活性サイトを明らかにするために得られた。状態部分密度(PDOS)が吸着過程でSeO_2とCaO表面の電子構造変化を分析するために計算した。結果は吸着プロセスの基本的な情報,新しい吸収剤の開発のための意味を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 物理吸着 ,  *吸着 ,  化学吸着 ,  活性部位 ,  セレン ,  セレン酸塩 ,  煙道ガス ,  電子構造 ,  密度汎関数法 ,  石炭 ,  吸着剤 ,  吸収剤
準シソーラス用語： 亜セレン酸塩 ,  吸着機構 ,  石炭燃焼 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 密度汎関数理論 ,  Chemisorption ,  SeO_2 ,  CaO

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： CaO ,  吸着 ,  分子 ,  DFT ,  研究