文献

J-GLOBAL ID：201702286177682437   整理番号：17A1350214

band-to-bandトンネルは黒りんMOSFETにおける両極性電流を制限【Powered by NICT】

Band-to-band tunneling limited ambipolar current in black phosphorus MOSFETs

著者 (3件)： Robbins Matthew C. (ECE Department, University of Minnesota-Twin Cities, 200 Union St. SE, Minneapolis, MN 55455) ,  Haratipour Nazila (ECE Department, University of Minnesota-Twin Cities, 200 Union St. SE, Minneapolis, MN 55455) ,  Koester Steven J. (ECE Department, University of Minnesota-Twin Cities, 200 Union St. SE, Minneapolis, MN 55455)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒リン(BP)は,超薄ボディ厚さで高移動度(1000cm2/Vs),調整可能なバンドギャップ(0.3 eV-2.0 eV),および異方性有効質量[1]-[4]をもつ高度にスケールされたトランジスタのための有望なチャネル材料として出現した。ON状態で高い性能をもつデバイスは,Schottky接触を用いて実証されているが,サブ閾値特性は貧弱なされている[5],[6]。これはBPと低有効質量の比較的小さく,直接バンドギャップによるドレインからの大きな両極性キャリア注入に起因している。最近,静電的にドープした(ESドープ)ソースとドレイン接触を用いたBP MOSFET[7]におけるしきい値以下の特性を改善できることが示されているが,この方法の潜在的利点は,十分に定量化されなかった。本研究では,我々はESドープとSchottky接触を持つBP MOSFETを直接比較し,ESドープしたデバイスの大幅に改善されたサブしきい値とオフ状態漏れ挙動,特に高ドレインバイアスを示した。一次元輸送モデルを用いて,著者らはさらにESドープしたデバイスの利点はバンド-バンドトンネリングによって制限される両極性電流に起因することを示した。BPのBTBトンネルを実験的に探索するBP TFETの開発に向けた第一段階である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電流 ,  バンドギャップ ,  チャネル ,  異方性 ,  *黒リン ,  キャリア注入 ,  有効質量 ,  *MOSFET ,  ドーピング
準シソーラス用語： トンネル電界効果トランジスタ ,  サブ閾値 ,  Schottky接触 ,  オン状態 ,  高移動度 ,  *両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： トンネル ,  黒りん ,  MOSFET ,  両極性 ,  制限