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J-GLOBAL ID：201702286196630626   整理番号：17A0591745

高濃度リンドープエピタキシャルシリコン薄膜におけるリンの電気的活性化

Electrical Activation of Phosphorus in Highly P-Doped Epitaxial Silicon Thin Films

著者 (6件)： LEE Minhyeong (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Sun-Wook (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KO Eunjung (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  JANG Hyunchul (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KOO Sangmo (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KO Dae-Hong (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3365-3369  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体におけるキャリア移動度の増強に歪エネルギー制御技術が広く採用されている。nMOSFETにおける有望な歪み誘導物質候補として,リンドープエピタキシャルシリコン(Si)薄膜が盛んに調べられている。そこで,高濃度のリンをドープしたSi膜におけるドーパントの活性化挙動を解明することが重要になってくる。本研究において,nMOSFETのための高濃度リンドープエピタキシャルSi薄膜をSi基板上に作成し,ドーパントの電気的活性化を特性評価した。リン濃度の関数として不純物分布を理論的に求め,実験値と比較した。計算値は,Hall効果と二次イオン質量分析の結果と良い一致を示した。

シソーラス用語： 濃度 ,  *リン ,  薄膜 ,  *半導体薄膜 ,  半導体 ,  *活性 ,  *ドーピング ,  キャリア移動度 ,  工学 ,  MOSFET ,  ドーパント ,  不純物分布 ,  Hall効果 ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： 高濃度 ,  エピタキシャル膜 ,  *シリコン薄膜 ,  *電気的活性 ,  ひずみエネルギー制御 ,  nMOSFET

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高濃度 ,  薄膜 ,  リン ,  電気的活性