文献

J-GLOBAL ID：201702286304970393   整理番号：17A1359836

IoTノーマリオフCPU応用のための超低漏れのある結晶In-Ga-Zn-O材料とトランジスタの性能を向上【Powered by NICT】

Performance boost of crystalline In-Ga-Zn-O material and transistor with extremely low leakage for IoT normally-off CPU application

著者 (12件)： Wu Shao Hui (United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore) ,  Jia X Y (United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore) ,  Li Xiang (United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore) ,  Shuai Chi Chang (United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore) ,  Lin Hung Chan (United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore) ,  Lu Ming Chang (United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore) ,  Wu Tzung Han (United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore) ,  Liu Mu Yi (United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore) ,  Wu J Y (United Microelectronics Corporation (UMC), No. 3, Pasir Ris Drive 12, Singapore) ,  Matsubayashi Daisuke (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Kato Kiyoshi (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Atsugi-shi, Kanagawa, Japan) ,  Yamazaki Shunpei (Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Atsugi-shi, Kanagawa, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Circuits  ページ： T166-T167  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 世界最初の100MHz動的酸化物半導体RAM(DOSRAM)は新しい高移動度結晶In-Ga-Zn-O(IGZO)材料を用いて実証することに成功した。新しいIGZOは約二時間従来IGZOのキャリア移動度を示し,~10~ 21A(zA)レベルで非常に低い漏れ電流密度(I_off)を達成する。DOSRAM性能改善に起因して,100MHzノーマリオフ(Noff)CPUは劇的に低減した電力消費(ARM皮質M0の~94%電力低減と記憶のための~70%電力削減)を示し,IoTの応用のための有望な候補とすることに成功した。添加では,OS FPGAは動作周波数360MHzの65nm SiFETと60nm酸化物半導体FET(OSFET)の統合による作製に成功した。アナログ回路におけるOSFETの応用についても本論文で議論する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *トランジスタ ,  アナログ回路 ,  電力 ,  電力消費 ,  *結晶 ,  FPGA ,  皮質
準シソーラス用語： 動作周波数 ,  電力低減 ,  漏れ電流密度 ,  高移動度 ,  酸化物半導体 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *モノのインターネット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： IoT ,  CPU ,  応用 ,  結晶 ,  In-Ga-Zn-O ,  トランジスタ