文献

J-GLOBAL ID：201702286412275896   整理番号：17A1350238

ポテンシャル赤外応用のための単結晶薄膜In_0In0.53Ga_0Ga0.47As Schottkyダイオードの新しい作製法と構造【Powered by NICT】

Novel fabrication method and structure of single crystal thin film In_0.53Ga_0.47As Schottky diodes for potential IR applications

著者 (2件)： Hussin Rozana (Dept. of Electrical & Computer Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh PA 15213) ,  Luo Yi (Dept. of Electrical & Computer Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh PA 15213)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それらの好ましい特性に起因して,Schottkyダイオードの応用を拡張した赤外(IR)非線形応用に行われている。第一には,努力が消費者のカットオフ振動数[1]を増加させるためにそれらの直列抵抗とその静電容量を減少させることに集中した。ここでは,新しい単結晶薄膜Au In_0In0.53Ga_0Ga0.47As Schottkyダイオード,半導体の厚さはダイオードの空乏幅以下を導入した。これは有意に低い直列抵抗,25THzのカットオフ周波数を生じる。この値はSchottkyダイオード[2]の報告された最高値の一つである。ダイオード構造は,著者らのグループにより導入された新しい膜移動法を用いて達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  静電容量 ,  *ダイオード ,  振動数 ,  半導体 ,  遮断周波数
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  カットオフ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ポテンシャル ,  赤外 ,  応用 ,  単結晶薄膜 ,  Schottkyダイオード ,  作製法