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J-GLOBAL ID：201702286417807838   整理番号：17A1727292

高感度水素ガスセンサとしてのパラジウム触媒金属ゲートを持つPNIN GAAトンネルFET【Powered by NICT】

PNIN-GAA-tunnel FET with palladium catalytic metal gate as a highly sensitive hydrogen gas sensor

著者 (3件)： Madan Jaya (Microelectronics Research Lab, Department of Engineering Physics, Delhi Technological University, Bawana Road, Delhi-110042, India) ,  Shekhar Skanda (Microelectronics Research Lab, Department of Engineering Physics, Delhi Technological University, Bawana Road, Delhi-110042, India) ,  Chaujar Rishu (Microelectronics Research Lab, Department of Engineering Physics, Delhi Technological University, Bawana Road, Delhi-110042, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 197-200  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,水素検出のための触媒金属ゲートとしてのパラジウムによるトンネルFET(PNIN GAA TFET)でn~+源ポケットドープPINゲートを報告した。H_2分子のセンシングの基本は水素原子Pd SiO_2界面でH原子の分極による双極子層の形成に導くパラジウム(Pd)ゲートに拡散にH_2の解離である。GAA TFETを用いたH_2ガスセンサの感度はかなりトンネル接合でのn~+源ポケットの統合により何桁も増強されることを解析した。さらに,センサの安定性を評価するための,センサの性能は,室温よりも他の大気温度で解析した。結果はPNIN GAA TFETを用いたH_2ガスセンサは±100Kの範囲で実質的に安定であることを明らかにする300K。は全圧力範囲でPNIN GAA TFETを用いたH_2ガスセンサの感度は室温で最大になることを検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *ガスセンサ ,  *金属触媒 ,  気温 ,  *パラジウム触媒 ,  *水素 ,  双極子 ,  *パラジウム ,  *高感度 ,  トンネル接合 ,  *センサ
準シソーラス用語： *トンネル電界効果トランジスタ ,  *メタルゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高感度 ,  水素ガス ,  パラジウム触媒 ,  金属ゲート ,  トンネルFET