文献

J-GLOBAL ID：201702286465368884   整理番号：17A1774182

高不飽和電流を持つIGBTを用いたの利点【Powered by NICT】

The benefit of using an IGBT with a high desaturation current

著者 (2件)： Hain Stefan (University of Bayreuth, Department of Mechatronics, Center of Energy Technology, Universitaetsstras&e 30, Bayreuth, Deutschland) ,  Bakran Mark-M. (University of Bayreuth, Department of Mechatronics, Center of Energy Technology, Universitaetsstras&e 30, Bayreuth, Deutschland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EPE’17 ECCE Europe  ページ： P.1-P.7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IGBTのチャネル幅の増加は素子のスイッチング損失にいかなる影響も無しでV_ce,sat値を低下させる明確な方法である。,IGBTの達成可能な利点は,不飽和電流の増加,短絡ロバスト性を脅かすに起因して制限されている。を実現できるIGBTの利点を示し,低不飽和電流の特徴は,放棄されるとチャネル幅は最大値に増加した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  *IGBT ,  スイッチング損失
準シソーラス用語： チャネル幅 ,  *飽和電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 飽和電流 ,  IGBT ,  利点