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J-GLOBAL ID:201702286565558131   整理番号:17A1708006

シンクロトロンベースのX線光電子分光法により特性評価したCH_3NH_3PbI_3上の室温原子層堆積したAl_2O_3【Powered by NICT】

Room temperature atomic layer deposited Al2O3 on CH3NH3PbI3 characterized by synchrotron-based X-ray photoelectron spectroscopy
著者 (6件):
資料名:
巻: 411  ページ: 49-52  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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メチルアンモニウム鉛三ヨウ化物(CH_3NH_3PbI_3)ペロブスカイト上に堆積した超薄Al_2O_3膜はキャリア再結合過程を抑制し,ペロブスカイト太陽電池効率と安定性を改善する能力を有している。しかし,85°Cより高い温度でのアニーリングはCH_3NH_3PbI_3ペロブスカイト膜を劣化させる。本研究で行ったX線光電子分光法研究は,室温でペロブスカイト上に原子層堆積によりAl_2O_3を成長させることが可能であることを示している,しかしながら,純粋なAl_2O_3に加えていくつかのOH基を見出し,Al_2O_3/CH_3NH_3PbI_3界面での鉛とよう素酸化物の生成が起こる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
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滅菌法  ,  金属結晶の磁性  ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  ,  半導体のルミネセンス  ,  物理的手法を用いた吸着の研究 
タイトルに関連する用語 (5件):
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