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J-GLOBAL ID：201702286574430199   整理番号：17A0481344

Si(100)と4°を成す基板上のMBE成長により合成したGaP(N)層の構造と光学的性質の研究

Study of the Structural and Optical Properties of GaP(N) Layers Synthesized by Molecular-Beam Epitaxy on Si(100) 4° Substrates

著者 (14件)： KRYZHANOVSKAYA N. V. (St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  KRYZHANOVSKAYA N. V. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS) ,  KRYZHANOVSKAYA N. V. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  POLUBAVKINA Yu. S. (St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  NEVEDOMSKIY V. N. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  NIKITINA E. V. (St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  LAZARENKO A. A. (St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  EGOROV A. Yu. (St. Petersburg National Res. Univ. Information Technol., Mechanics, and Optics, St. Petersburg, RUS) ,  MAXIMOV M. V. (St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  MAXIMOV M. V. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS) ,  MAXIMOV M. V. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  MOISEEV E. I. (St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  ZHUKOV A. E. (St. Petersburg National Res. Academic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  ZHUKOV A. E. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 2  ページ： 267-271  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロエピタクシーにおいて転位密度増大の原因となるのは極性の差と並んで格子不整合である。シリコンとの高い格子整合を求めてSi(100)と4°微斜面の基板上のMBE成長により合成したGaPとGaPN層の構造と光学的性質を調べた。直接バンドギャップを有する上に高度のヘテロ構造平面性を呈しかつ転位密度を最大で2×10⁸cm^-2に抑えるGaPバッファ層製作の可能性を示した。室温でスペクトル領域630~640nmでの発光をSi/GaP/GaPN構造から認めた。良好なエピタクシーにもかかわらず近接した不完全領域の存在のためにかなりの非放射再結合の値が室温で認められた。Si/GaP/GaPN構造の成長の間の焼なましにより室温光ルミネセンス強度を2.6倍にしたが,発光ラインの位置は動かなかった。

シソーラス用語： MBE成長 ,  *ウエハ【IC】 ,  *リン化ガリウム ,  *窒化ガリウム ,  固溶体 ,  光学的性質 ,  素子構造 ,  転位密度 ,  バッファ層 ,  *焼なまし ,  *光ルミネセンス ,  *格子整合 ,  バンドギャップ ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  ヘテロ構造 ,  直接バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  MBE成長 ,  GAP ,  層 ,  光学的性質 ,  研究