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J-GLOBAL ID：201702286582942148   整理番号：17A1459156

溶液処理酸化アルミニウム誘電体層の特性と低電圧手術インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド薄膜トランジスタへの応用に及ぼすストロンチウムのドーピング効果【Powered by NICT】

Strontium doping effects on the characteristics of solution-processed aluminum oxide dielectric layer and its application to low-voltage-operated indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors

著者 (6件)： Kim Jaeyoung (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Choi Seungbeom (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Kim Minho (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Ha Tae-Jun (Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University, Seoul 01897, Republic of Korea) ,  Kim Yong-Hoon (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Kim Yong-Hoon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 16  ページ： 13576-13580  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,溶液処理した酸化アルミニウム誘電体層の電気的および物理的特性と低電圧手術したインジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド(IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)への応用に及ぼすストロンチウムドーピング効果を調べた。最適ドーピング濃度酸化アルミニウム(Al_2O_3)中のストロンチウム(5at%)の,誘電率約7および低リーク電流特性(3MV/cmで~4×10~ 7cm~2)を持つ酸化物ゲート誘電体層を溶液プロセス,元Al_2O_3膜よりも比較的良好なにより達成できた。ストロンチウムドーピングからの増強された誘電特性は,ストロンチウムを組み込んだAl_2O_3膜の物理的性質の変化に起因し,Al_2O_3膜における欠陥状態の電荷緩和を提供する。,ストロンチウムは酸素と高い反応性があるので,ドーピングによるストロンチウム置換はかなりの格子歪のないAl_2O_3膜においてより強く結合した構造をもたらした。ゲート誘電体層,10nm以下の厚さを有するとしてストロンチウムをドープした酸化アルミニウム膜を用いて,≦1Vで動作する溶液処理したIGZO TFTは1.74±1.10cm~/Vsの電界効果移動度とオン電流レベル~10~ 5Aを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電性 ,  *ストロンチウム ,  誘電率 ,  電荷 ,  *酸化アルミニウム ,  漏れ電流 ,  *薄膜トランジスタ ,  *アルミニウム ,  *誘電体 ,  *ドーピング ,  ゲート絶縁膜 ,  酸素
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  *ドーピング効果 ,  *低電圧 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ストロンチウムアルミニウム酸化物 ,  ゲート誘電体 ,  溶液プロセス ,  薄膜トランジスタ

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (13件)： 溶液処理 ,  酸化アルミニウム ,  誘電体 ,  低電圧 ,  手術 ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  オキシド ,  薄膜トランジスタ ,  応用 ,  ストロンチウム ,  ドーピング効果