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J-GLOBAL ID：201702286723779781   整理番号：17A0908157

シリコン基板上へのZnS/YbF_3赤外皮膜における欠陥の研究【Powered by NICT】

Study on defects in ZnS/YbF₃ infrared coatings on silicon substrates

著者 (4件)： Zhang Yinhua (Institute of Optics and Electronics, Chinese Academy of Sciences, Chengdu, Sichuan 610209, China) ,  Zhang Yinhua (University of Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China) ,  Xiong Shengming (Institute of Optics and Electronics, Chinese Academy of Sciences, Chengdu, Sichuan 610209, China) ,  Huang Wei (Institute of Optics and Electronics, Chinese Academy of Sciences, Chengdu, Sichuan 610209, China)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 320  ページ： 3-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥の数を低減するために,シリコン基板上に堆積したZnS単分子層,YbF_3単分子層とZnS/YbF_3多層被覆の欠陥密度に及ぼす堆積パラメータ(すなわち,蒸着速度と基板温度)と堆積法(すなわち,熱蒸着と電子ビーム蒸発)の影響を実験的に調べた。結果は蒸着速度と基板温度は,欠陥密度に大きな影響を持つことを示した。ZnS単分子層被覆では,最適堆積速度は約1.2nm/sであり,最適基板温度は80°Cから120°Cまでであった。YbF_3単分子層被覆の最適堆積速度は約0.4nm/sであり,最適基板温度は100°Cから150°Cまでであった。さらに,熱蒸発により堆積したZnSまたはYbF_3単層被覆の欠陥密度は電子ビーム蒸着によるそれよりもはるかに低かった。ZnS/YbF_3多層被覆の欠陥密度を熱蒸着法を用いて基板温度と蒸着速度を最適化することにより大幅に低減できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単一層 ,  被覆 ,  単分子層 ,  最適化 ,  基板温度 ,  堆積速度 ,  真空蒸着 ,  *硫化亜鉛 ,  蒸発 ,  欠陥密度 ,  電子ビーム蒸着 ,  *皮膜
準シソーラス用語： 蒸着速度 ,  多層コーティング ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 欠陥密度 ,  赤外コーティング ,  堆積速度 ,  基板温度

分類 (2件)： 金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン基板 ,  ZnS ,  赤外 ,  皮膜 ,  欠陥 ,  研究