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J-GLOBAL ID：201702286886891397   整理番号：17A0968141

薄いpn接合を有する新しい垂直エピタキシャルヘテロ構造アーキテクチャ(VEHSA)に基づく高効率光トランスデューサ

High efficiency phototransducers based on a novel vertical epitaxial heterostructure architecture (VEHSA) with thin p/n junctions

著者 (3件)： YORK Mark C A (Univ. de Sherbrooke, QC, CAN) ,  FAFARD Simon (Univ. de Sherbrooke, QC, CAN) ,  FAFARD Simon (Azastra Opto Inc., Ontario, CAN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 17  ページ： 173003,1-22  発行年： 2017年05月04日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多接合型GaAsモノリシック垂直エピタキシャルヘテロ構造素子の観測を含め,多接合レーザ電力変換器の設計,モデル化,および成長の一連の発展について概説した。まず,この分野における研究の背景とこれ迄の研究,及び垂直エピタキシャルヘテロ構造アーキテクチャ(VEHSA)の設計と成長,シミュレーションとこの分野における進歩と現状を紹介した。次に,VEHSA素子の設計について考察した。続いて,VEHSA素子のスペクトル応答及び光入力応答性を論じた。VEHSA素子パラメータの実験結果を示し,PN接合に対する光起電力出力電圧最適化を検討した。最後に,VEHSAの応用に触れた。

シソーラス用語： *PN接合 ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  素子構造 ,  *変換器 ,  電力変換器 ,  レーザビーム ,  *光起電力 ,  最適化
準シソーラス用語： *トランスデューサ ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (7件)： PN接合 ,  垂直 ,  エピタキシャル ,  ヘテロ構造 ,  アーキテクチャ ,  高効率 ,  トランスデューサ