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J-GLOBAL ID：201702286949163938   整理番号：17A1619628

長寿命アーカイブメモリのための金属-酸化物-窒化物-酸化物-半導体メモリの可能性

Possibility of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories for Long Lifespan Archive Memories

著者 (7件)： SHIRAKAWA Hiroki (Graduate School of Engineering, Nagoya University) ,  YAMAGUCHI Keita (Graduate School of Engineering, Nagoya University) ,  ARAIDAI Masaaki (Graduate School of Engineering, Nagoya University) ,  ARAIDAI Masaaki (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University) ,  KAMIYA Katsumasa (Center for Basic Education and Integrated Learning, Kanagawa Institute of Technology) ,  SHIRAISHI Kenji (Graduate School of Engineering, Nagoya University) ,  SHIRAISHI Kenji (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E100.C  号： 10  ページ： 928-933(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ab initio計算に基づいて金属-酸化物-窒化物-酸化物-半導体(MONOS)メモリが最も有望な将来の高密度アーカイブメモリの1つであることを実証した。MONOSメモリのO関連欠陥が,プログラム/消去(P/E)サイクル中に原子レベルでSiO₂/Si₃N₄界面に不可逆的な構造変化を引き起こすことを見出した。この構造中の全てのO原子は3重配位をとるので,プログラミング動作中のキャリア注入はその構造をエネルギー的に非常に安定にした。プログラム状態の推定寿命は,1000年のオーダである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *素子構造 ,  *半導体メモリ ,  *寿命 ,  *保存図書館 ,  可能性 ,  計算 ,  変化
準シソーラス用語： ab initio計算 ,  *MONOS構造 ,  *アーカイブ ,  プログラム ,  構造変化 ,  消去 ,  *長寿命

著者キーワード (4件)： MONOS ,  archive memories ,  charge trap memories ,  first principals calculation

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (25件)：

• [1] V. Turner, J.F. Gantz, D. Reinsel, and S. Minton, “The digital universe of opportunities: Rich data and the increasing value of the internet of things.” IDC Analyze the Future, 2014.
• [2] The Digital Dilemma (The Academy of Motion Picture Arts and Sciences, 2012).
• [3] “MDISC Archive Service,” Millenniata, Inc., http://www.mdisc.com/
• [4] “Successful read/write of digital data in fused silica glass with a recording density equivalent to Blu-ray Disc^TM,” Hitachi, Ltd., http://www.hitachi.com/New/cnews/month/2014/10/141020a.html, 2014.
• [5] J. Qiu, K. Miura, and K. Hirao, “Femtosecond laser-induced microfeatures in glasses and their applications,” J. Non-Cryst. Solids., vol.354, no.12-13, pp.1100-1111, 2008. 10.1016/j.jnoncrysol.2007.02.092

タイトルに関連する用語 (6件)： 長寿命 ,  アーカイブ ,  酸化物 ,  窒化物 ,  半導体メモリ ,  可能性