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J-GLOBAL ID：201702286989643915   整理番号：17A1634864

C-Vヒステリシスにより評価した金属Gate/High k/III V MOSデバイスへの電荷捕獲効果【Powered by NICT】

Charge trapping effects on Metal-Gate/High-k/III-V MOS devices assessed through C-V hysteresis

著者 (3件)： Pazos Sebastian M. (Consejo Nacional de Investigaciones Cienti ́ficas y Tecnicas, Godoy Cruz 2290 (C1425FQB), Buenos Aires, Argentina, GAIANN, Comisio ́n Nacional de Energi ́a Ato ́mica, Gral. Paz 1499 (1650), San Marti ́n, Provincia de Buenos Aires, Argentina and Laboratorio de Nanoelectronica, Departamento ...) ,  Aguirre Fernando L. (Consejo Nacional de Investigaciones Cienti ́ficas y Tecnicas, Godoy Cruz 2290 (C1425FQB), Buenos Aires, Argentina, GAIANN, Comisio ́n Nacional de Energi ́a Ato ́mica, Gral. Paz 1499 (1650), San Marti ́n, Provincia de Buenos Aires, Argentina and Laboratorio de Nanoelectronica, Departamento ...) ,  Palumbo Felix (Consejo Nacional de Investigaciones Cienti ́ficas y Tecnicas, Godoy Cruz 2290 (C1425FQB), Buenos Aires, Argentina, GAIANN, Comisio ́n Nacional de Energi ́a Ato ́mica, Gral. Paz 1499 (1650), San Marti ́n, Provincia de Buenos Aires, Argentina and Laboratorio de Nanoelectronica, Departamento ...)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CAMTA  ページ： 21-25  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,金属Gate/High k/III V MOSスタックのトラップping/detrapping特性の違いは,C-Vヒステリシスと動的応力を用いて実験的に研究した。研究下で試料はゲート酸化物としてHfO_2またはAl_2O_3誘電体を用いたn-InPとn-InGaAs基板の組み合わせを含んでいる。これは,完全な構造の品質に及ぼす基板と誘電体の両方の影響の評価を可能にする。結果はAl_2O_3ベーススタックはHfO_2対応物よりもヒステリシスサイクル中のより低い全体的な捕獲された電荷を示すことが分かった。さらに,反転,信頼性の点で正の指標であるへの強調とInP系試料は正の応力のためのInGaAs試料と比較して,Fermi準位以上が,無視できる捕獲効果と多量の欠陥を導入した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質 ,  アルミニウム ,  Fermi準位 ,  *ヒステリシス ,  リン化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *捕獲 ,  誘電体 ,  信頼性
準シソーラス用語： 影響評価 ,  ゲート酸化物 ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヒステリシス ,  評価 ,  MOSデバイス ,  電荷捕獲