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J-GLOBAL ID：201702287165812479   整理番号：17A0447885

低酸素条件下での単結晶けい素の高温ナノ引かき【Powered by NICT】

High temperature nanoscratching of single crystal silicon under reduced oxygen condition

著者 (4件)： Chavoshi Saeed Zare (Department of Mechanical Engineering, Imperial College London, Exhibition Road, London, SW7 2AZ UK) ,  Gallo Santiago Corujeira (School of Metallurgy and Materials, University of Birmingham, Edgbaston, Birmingham B15 2TT, UK) ,  Dong Hanshan (School of Metallurgy and Materials, University of Birmingham, Edgbaston, Birmingham B15 2TT, UK) ,  Luo Xichun (Centre for Precision Manufacturing, Department of Design, Manufacture and Engineering Management, University of Strathclyde, Glasgow G1 1XJ, UK)
資料名： Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing  (Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing)
巻： 684  ページ： 385-393  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0589B  ISSN： 0921-5093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低酸素条件下でSi(110)ウエハのその場高温ナノ引かきは,低および高引かき速度ランプ負荷でBerkovichチップを用いて初めて行った。ex-situ Raman分光法とA FM分析は,高圧相変態,ナノ引かきトポグラフィーとナノ引かき硬さを評価した。高圧シリコン相の残留物は高温ナノ引かき中のすべてのナノ引かき残留トラックに沿った観察されなかったが,室温ナノ引かきにおける,相変態は,負荷荷重と引かき速度への有意な依存性を示した。すなわち,室温で作られたナノ引かき内の変形した体積は,低および高引かき速度で異なるしきい値荷重以上のSi,Si-XIIとSi-IIIから成っていた。A FM測定によって更なる分析は,引かき硬さと残留引かき形態すなわち引かき深さ,引かき幅と全パイルアップ高さはウエハ温度と引かき速度によって大きく影響されることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高圧 ,  *ケイ素 ,  引かき硬さ ,  *高温 ,  *酸素欠乏 ,  *単結晶

著者キーワード (4件)： 高温度 ,  ナノスクラッチング ,  単結晶シリコン ,  多形

分類 (2件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 低酸素 ,  結晶けい素