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J-GLOBAL ID：201702287183351255   整理番号：17A0462052

イットリウム安定化エピタキシャルHfO₂薄膜の電気的特性に及ぼす厚さ依存性結晶モザイク性と化学的欠陥の影響

Effect of thickness-dependent crystal mosaicity and chemical defect on electric properties in yttrium-stabilized epitaxial HfO₂ thin films

著者 (6件)： Liu Wenlong (School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Liu Ming (School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Cheng Sheng (School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Zhang Ruyi (School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Ma Rong (School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Wang Hong (School of Electronic and Information Engineering & State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 12  ページ： 122904-122904-5  発行年： 2017年03月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *イットリウム ,  *安定化 ,  薄膜 ,  *酸化ハフニウム ,  *電気的性質 ,  依存性 ,  モザイク性 ,  *格子欠陥 ,  結晶構造 ,  パルスレーザ蒸着 ,  X線回折分析 ,  計測 ,  微細構造 ,  空間 ,  Ohm接触 ,  電流電圧特性 ,  空間電荷制限電流
準シソーラス用語： エピタキシャル膜 ,  *電気的特性 ,  膜厚依存性 ,  *結晶欠陥 ,  パルスレーザ堆積 ,  X線回折法 ,  X線反射率法 ,  逆格子空間

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (11件)： イットリウム ,  安定化 ,  エピタキシャル ,  HfO2 ,  薄膜 ,  電気的特性 ,  厚さ依存性 ,  結晶 ,  モザイク性 ,  化学 ,  欠陥