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J-GLOBAL ID：201702287276703958   整理番号：17A2004947

エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスのための(001)シリコン上の高度に不整合なIII-V族材料のエピタキシャル成長【Powered by NICT】

Epitaxial growth of highly mismatched III-V materials on (001) silicon for electronics and optoelectronics

著者 (4件)： Li Qiang (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Li Qiang (Institute for Advanced Study, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Lau Kei May (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Lau Kei May (Institute for Advanced Study, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong)
資料名： Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials  (Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials)
巻： 63  号： 4  ページ： 105-120  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0655A  ISSN： 0960-8974  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン上のIII-V族のモノリシック集積は何十年も科学的に魅力的な概念されてきた。最近この研究領域,高移動度チャネルトランジスタにおける電子工業の大きな関心とシリコンフォトニクス技術の急速な発展を燃料としている顕著な進歩。本レビュー論文では,(001)配向シリコン基板上の高度に不整合なIII-V族材料のエピタキシャル成長用の基本的な障害を概説し,ひ化物,りん化物及びアンチモン化物を含む。ナノ長さスケールにミクロからヘテロエピタキシーと選択領域ヘテロエピタクシーの進歩を議論した。新興エレクトロニクスと集積フォトニクスにおける機会も提示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高速度 ,  *エピタクシー ,  ヘテロエピタクシー ,  *電子技術 ,  *ケイ素 ,  ヒ化物 ,  リン化物 ,  *不整合 ,  *オプトエレクトロニクス ,  アンチモン化物
準シソーラス用語： フォトニクス ,  シリコンウエハ ,  シリコンフォトニクス ,  高移動度 ,  モノリシック集積化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： エレクトロニクス ,  オプトエレクトロニクス ,  シリコン ,  不整合 ,  エピタキシャル成長