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J-GLOBAL ID：201702287340874197   整理番号：17A0506453

スパッターされたAl膜とSn膜を利用した,シリコンウエハー・ボンディングの検討

Investigations of silicon wafer bonding utilizing sputtered Al and Sn films

著者 (4件)： ZHU Zhiyuan (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  ZHU Zhiyuan (Georgia Inst. of Technol., GA, USA) ,  YU Min (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  JIN Yufeng (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 23  号： 4  ページ： 929-933  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウエハー・ボンディングは,3次元パッケージングやMEMS封入のための重要な実現技術となっている。本論文は,Al膜とSn膜を利用した,シリコン(Si)ウエハー・ボンディングを検討した。500nm厚さのAl膜と500nm厚さのSn膜をシリコンウェーハーにスパッターし,ボンディング温度280°Cにおいて,ボンディング時間1minで,平均せん断強度11MPaを達成した。平均せん断強度は,ボンディング温度とボンディング時間の増加に伴い大きく低下した。せん断強度と破壊表面モフォロジーの,ボンディング温度とボンディング時間への依存性を説明した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  *ボンディング【IC】 ,  *三次元 ,  高密度実装 ,  *MEMS ,  カプセル封じ ,  *アルミニウム ,  *金属薄膜 ,  *スズ ,  スパッタリング ,  温度 ,  剪断強さ ,  破面 ,  表面構造 ,  モルフォロジー ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 接合温度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッター ,  Al膜 ,  Sn ,  シリコンウエハー ,  ボンディング