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J-GLOBAL ID：201702287702589560   整理番号：17A0665264

p型SnSおよびナノメータ厚Al_2S_3層を用いた金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ(MISFET)【Powered by NICT】

Metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) using p-type SnS and nanometer-thick Al₂S₃ layers

著者 (7件)： Mudusu Devika (Department of Aerospace Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Nandanapalli Koteeswara Reddy ,  Dugasani Sreekantha Reddy ,  Karuppannan Ramesh ,  Kothakota Ramakrishna Reddy Gunasekhar ,  Erode Subramanian Raja Gopal ,  Park Sung Ha
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 18  ページ： 11111-11117  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新規で費用対効果に優れた金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ(MISFET)素子は,非意図的に成長させた硫化アルミニウム(Al_2S_3)界面層を持ったアルミニウムと銀接点の間にサンドイッチした活性層として非毒性一硫化スズ(SnS)を用いて作製した。MISFETデバイスは5.13Vと優れた整流ダイオード特性の高ターンオン電圧を示した。これらの素子は,6Vのバイアス電圧と直列抵抗3.4MΩで1383の高い整流因子,~10~ 9A@10Vの非常に低い漏れ電流を示した。全体の結果は,種々のパワーエレクトロニクス応用のための活性層としてSnSを用いて費用対効果に優れた非毒性MISFET素子を作製できることを明らかにした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  整流 ,  *MISFET ,  活性層 ,  *絶縁体 ,  漏れ電流 ,  毒性 ,  *半導体 ,  *アルミニウム ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  バイアス電圧 ,  ターンオン電圧 ,  硫化スズ ,  費用対効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SNS ,  ナノメータ ,  厚 ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ ,  MISFET