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J-GLOBAL ID：201702287800578583   整理番号：17A0953389

640nm波長の高出力半導体レーザーアレイの高温運転

High-temperature operation of 640 nm wavelength high-power laser diode arrays

著者 (1件)： IMANISHI Daisuke (Sony Corp., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 3  ページ： 032702.1-032702.5  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らはAlGaInPベースの化合物半導体を用いた高い光出力と信頼性を持つ赤色半導体レーザーアレイの製作を実現した。高光出力を得るために,半導体レーザーは高品質の量子井戸を要求する。この研究では,著者らは量子井戸に対する高温成長条件を適用することで,量子井戸層の急峻性を改善した。著者らはこの成長条件の下p-型層のためのドーパントとしてマグネシウムを用いて,644nmの波長で20.1Wの大変高い光出力を得た。その結果,著者らは68Kの高い特性温度と15W光出力で高い電気から光へ(E-O)の変換効率37%を達成した。35°Cの温度と6.6Wの動作光出力でのレーザー寿命を,投影ディスプレイにおける超高圧(UHP)ランプの寿命として定義するために通常使われている,出力が50%に減少する時間として定義すると,このレーザーの寿命は1万時間以上であると推定できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *高出力レーザ ,  可視光 ,  リン化物 ,  アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *量子井戸レーザ ,  *ドーピング ,  マグネシウム ,  *エネルギー変換効率 ,  *寿命

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (37件)：

• G. Derra, H. Moench, E. Fischer, H. Giese, U. Hechtfischer, G. Heusler, A. Koerber, U. Niemann, F. C. Noertemann, P. Pekarski, J. P. Retsch, A. Ritz, and U. Weichmann, J. Phys. D 38, 2995 (2005).
• S. Miyazaki, H. Ohse, Y. Sato, D. Imanishi, S. Ito, and S. Hirata, Laser Kenkyu 4, 178 (2008) [in Japanese].
• K. V. Chellappan, E. Erden, and H. Urey, Appl. Opt. 49, F79 (2010).
• G. Hollemann, B. Braun, F. Dorsch, P. Hennig, P. Heist, U. Krause, U. Kutschki, and H. A. Voelckel, Proc. SPIE 3954, 140 (2000).
• H. Hatanaka, K. Yano, and F. Oda, Light Edge 37 (2012) [in Japanese].

タイトルに関連する用語 (2件)： 高出力 ,  半導体レーザーアレイ