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J-GLOBAL ID：201702287851978046   整理番号：17A1916931

バンド工学と結合したキャリア濃度の最適化によるCe_xBi_2S_3の熱電性能の向上【Powered by NICT】

Enhancing the thermoelectric performance of Ce_xBi₂S₃ by optimizing the carrier concentration combined with band engineering

著者 (5件)： Pei Jun (The Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, No. 30 Xueyuan Road, Haidian District, Beijing, 100083, China. [e-mail]) ,  Zhang Li-Juan ,  Zhang Bo-Ping ,  Shang Peng-Peng ,  Liu Yao-Chun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 47  ページ： 12492-12499  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi_2S_3は有望な低コスト熱電材料であるが,その性能向上のための必要である効果的な化学修飾。本研究では,メカニカルアロイングとスパークプラズマ焼結を組み合わせて作製したCe_xBi_2S_3(x=0,0.01,0.03,0.05)の電子構造,相構造,微細構造およびTE特性に及ぼすCeの影響を調べた。計算された形成エネルギー(ΔE_F)は置換サイトが飽和したときCeはBi_2S_3の格子間位置に入ることを示した。電子構造はCeドーピングはE_gを減少させ,元のBi_2S_3のm*を増加させるであろう,ドーピングバンドを生成することを示し,また,それと交替でn_Hを強化した。x<0.03,μ_Hとn_Hはイオン化不純物散乱の支配的効果のために,同時に増加した。n_H,μ_H,m*の共同最適化のために,ピークZT値0.33は0.03Kで573で得られ,298μW m~ 1K~ 2の最大PF値は元Bi_2S_3のそれよりも約三倍であった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱電材料 ,  イオン化 ,  *最適化 ,  電子構造 ,  放電プラズマ焼結 ,  メカニカルアロイング ,  *キャリア密度 ,  微細構造 ,  *セリウム
準シソーラス用語： 不純物散乱 ,  形成エネルギー ,  相構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： ピラジン  (CF07104N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  有機化合物・錯体の蛍光・りん光(分子)  (BH06062I) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C)

タイトルに関連する用語 (4件)： バンド ,  工学 ,  キャリア濃度 ,  最適化