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J-GLOBAL ID：201702287902616848   整理番号：17A0856780

塑性変形によるウエハレベル真空パッケージング可能と小フットプリントを有する銅シールリングの低温溶接【Powered by NICT】

Wafer-Level Vacuum Packaging Enabled by Plastic Deformation and Low-Temperature Welding of Copper Sealing Rings With a Small Footprint

著者 (5件)： Wang Xiaojing (Department of Micro and Nanosystems, KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden) ,  Bleiker Simon J. (Department of Micro and Nanosystems, KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden) ,  Antelius Mikael (APR Technologies AB, Enkoeping, Sweden) ,  Stemme Goran (Department of Micro and Nanosystems, KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden) ,  Niklaus Frank (Department of Micro and Nanosystems, KTH Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 26  号： 2  ページ： 357-365  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウエハレベル真空包装は多くのマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)デバイスの作製において重要であり,大容量MEMS製造過程で,著しいコスト削減を可能にする。本論文では,著者らは,小フットプリントと銅シールリングの塑性変形と低温溶接に基づく低温ウエハレベル真空パッケージング方法を提案した。銅環構造を有するデバイスウエハと対応する金属溝を持つキャップウエハは真空容器内に置いた250~°Cの温度で加圧し,銅の低温溶接になっている,シールリングで囲まれた空洞の気密封止手法の検討。結合146日後に作製した空洞内の真空圧は2.6×10~ 2mbarと低いことを残留ガス分析を用いて測定した。この値に基づいて,漏洩率は最も控えめな仮定を用いた3.6×10~ 16mbarL/sより小さいと計算され,シールの優れた気密性を実証した。使用したシールした幅8μmまでの5.2 μm高Cuシールリングのせん断強さが90MPa以上で機械的に安定であることを実証したせん断試験。報告した方法は,相補型金属酸化膜半導体(CMOS)基板と両立する可能性がある,最新のCMOS基板上に三次元不均一に集積したMEMSの真空包装に適用できる可能性がある。[2016 0252]Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 原価低減 ,  三次元 ,  MEMS ,  *塑性変形 ,  剪断強さ ,  *低温 ,  生産工程 ,  真空容器 ,  *溶接 ,  *密封装置 ,  *銅 ,  ハーメチックシール ,  真空包装 ,  気密性
準シソーラス用語： *シールリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 塑性変形 ,  ウエハレベル ,  真空 ,  パッケージング ,  フットプリント ,  銅 ,  シールリング