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J-GLOBAL ID：201702287964299389   整理番号：17A1620660

InSb/AlAsヘテロ系内の低次元構造の形成

Formation of Low-Dimensional Structures in the InSb/AlAs Heterosystem

著者 (12件)： ABRAMKIN D. S. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  ABRAMKIN D. S. (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  BAKAROV A. K. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  PUTYATO M. A. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  EMELYANOV E. A. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  KOLOTOVKINA D. A. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  KOLOTOVKINA D. A. (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  GUTAKOVSKII A. K. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  GUTAKOVSKII A. K. (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  SHAMIRZAEV T. S. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  SHAMIRZAEV T. S. (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  SHAMIRZAEV T. S. (Ural Federal Univ., Yekaterinburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 9  ページ： 1233-1239  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ALEとMBEの二つの方法によりInSb/AlAs内に形成された低次元量子井戸(QW)とナノアイランドヘテロ構造を透過型電子顕微鏡と定常状態の光ルミネセンス分光法により調べた。ALEモードの成長ではアイランドのクラスタが形成される。クラスタは中心の大きいサイズの不完全なマイクロアイランドと,より小さいコヒーレントに歪んだリング状のアレイから成る。通常のMBE成長では大きいサイズの不完全なアイランドは形成されるが,アイランドのリング状のアレイは形成されない。

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  *低次元系 ,  *アンチモン化インジウム ,  *ヒ化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  *量子井戸 ,  ナノ構造 ,  島状構造 ,  *素子構造 ,  *原子層エピタクシー ,  クラスタ ,  *MBE成長
準シソーラス用語： *ALE【エピタクシー】 ,  ナノアイランド ,  *ヘテロ構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InSb ,  AlAs ,  テロ ,  低次元構造