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J-GLOBAL ID：201702288080724260   整理番号：17A1181689

ホール残存機構による高性能垂直Si PiNダイオード【Powered by NICT】

High-performance vertical Si PiN diode by hole remaining mechanism

著者 (5件)： Tsukuda Masanori (Advanced Power Devices Laboratory, Green Electronics Research Institute, 1-8 Hibikino, Wakamatsu-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka, Japan) ,  Tsukuda Masanori (Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka, Japan) ,  Baba Akiyoshi (Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology, 680-4 Kawazu, Iizuka-shi, Fukuoka, Japan) ,  Shiba Yuji (Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka, Japan) ,  Omura Ichiro (Next Generation Power Electronics Research Center, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensui-cho, Tobata-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka, Japan)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 129  ページ： 22-28  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ユニークなトレンチ形状を持つ新しいダイオードは高い性能を持つことをTCADシミュレーションにより予測した。BOSCHディープトレンチプロセスによる正孔ポケットを持つ新しい600V垂直PiNダイオードは逆回復損失と順方向電圧の間の良好なトレードオフ曲線を示した。逆回復損失は半分に低減した。添加では,新しいダイオードの能動チップサイズは同じ順方向電圧における通常のPiNダイオードの三分の二に減少した。対角方向に電場を正孔ポケットのおかげで,残りのホールは高性能のための雑音のあるサージ電圧を抑制する。本論文では,特に逆回復中の現象と雑音抑制機構の解析に焦点を当てた。シリコントレンチエッチングを確立した後作製プロセスを開発するとき,新しいダイオード構造は有力な候補である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 雑音発生防止 ,  電場 ,  *ダイオード ,  雑音 ,  電圧 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： サージ電圧 ,  チップサイズ ,  TCAD ,  トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ダイオード ,  垂直 ,  トレンチ ,  Bosch ,  ホール ,  逆回復

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホール ,  残存 ,  垂直 ,  Si ,  PINダイオード