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J-GLOBAL ID：201702288110736716   整理番号：17A1170531

AlN中間層を用いたSi上のGaN成長のための応力制御の機構【Powered by NICT】

Mechanism of stress control for GaN growth on Si using AlN interlayers

著者 (4件)： Suzuki Michihiro (Department of Electrical Engineering and Information Systems, School of Engineering, The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Nakamura Akihiro (Department of Electrical Engineering and Information Systems, School of Engineering, The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Nakano Yoshiaki (Department of Electrical Engineering and Information Systems, School of Engineering, The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Sugiyama Masakazu (Department of Electrical Engineering and Information Systems, School of Engineering, The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 464  ページ： 148-152  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN-on-Si構造のウエハ反りを制御する目的のために,AlN中間層上のGaN層の成長中のその場曲率過渡は層成長の進行に伴ってGaN層に適用した圧縮歪を推定することにより系統的に調べた。圧縮歪は,AlN中間層の成長の前にGaN表面の形態に依存した。GaN成長AlN成長への遷移配列は,GaN表面の粗面化を誘導し,高NH_3分圧と短い遷移時間の両方は,AlN中間層下のGaN表面の粗さを減少させることに有効であったことが分かった。改良転移配列はGaN中の圧縮歪を2.5倍増加させる。GaNのそれと同じ温度で成長させたAlNはより良い表面モルフォロジーとGaN成長とAlN成長間の遷移時間の減少の両方に有益であった。この高温AlN中間層を用いて,その厚さはGaN中の圧縮歪を支配するもう一つの重要な因子である。AlNはGaNへの圧縮歪を適用するための緩和し得るために,AlN層は緩和の結果表面ラフニングにおける,上部GaN層に欠陥を導入するとGaNの部分格子緩和による圧縮歪を減少させる後にはより厚くなったが,あまりにも厚い層であるべきである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高温 ,  *窒化ガリウム ,  界面 ,  分圧 ,  *窒化アルミニウム ,  副格子 ,  曲率 ,  MOCVD ,  緩和現象 ,  *ケイ素 ,  原子間力顕微鏡 ,  粗面
準シソーラス用語： 表面形態 ,  圧縮歪 ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1原子間力顕微鏡 ,  A1界面 ,  A3有機金属化学蒸着 ,  B1窒化物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlN ,  中間層 ,  Si ,  GaN ,  成長