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J-GLOBAL ID：201702288296088997   整理番号：17A1391964

発光ダイオードエピタキシャルウエハ上のIII族窒化物フォトトランジスタの作製【Powered by NICT】

III-Nitride Phototransistors Fabricated on a Light-Emitting-Diode Epitaxial Wafer

著者 (6件)： Yeh Pinghui S. (Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Hsu Teng-Po (Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Chiu Yen-Chieh (Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Yang Sian (Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Wu Cheng-You (Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan) ,  Liou Jung-Shan (Department of Electronic and Computer Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 29  号： 19  ページ： 1679-1682  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイポーラ接合トランジスタn-p-nエピタキシャル構造を持つウエハを用いる代わりに,p-AlGaN層の一部をn-AlGaN層へのシリコン拡散を用いて発光ダイオード(LED)エピタキシャル構造を持つ市販のウエハ上にAlGaInN系近紫外(UV)ヘテロ接合フォトトランジスタ(HPT)を作製することに成功した。,382nmで120 2A/Wのピーク応答を含む近紫外スペクトル範囲で77 105A/Wの高い応答性はわずか3Vのバイアス電圧で得られた。対応する光電流利得は約790であった。応答速度と光電流対入射光強度も特性化した。結果は,LEDは高応答性HPT等とモノリシック集積ができることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フォトトランジスタ ,  ケイ素 ,  応答特性 ,  バイポーラトランジスタ ,  光電流 ,  近紫外線 ,  *発光ダイオード ,  *エピタクシー ,  ヘテロ接合 ,  *窒化物 ,  紫外スペクトル
準シソーラス用語： 応答速度 ,  電流利得 ,  バイアス電圧 ,  窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： III族 ,  窒化物 ,  フォトトランジスタ ,  作製