文献

J-GLOBAL ID：201702288415197071   整理番号：17A0551315

垂直に集積する電界効果トランジスタのための無極性側壁を有するGaNナノワイヤアレイ

GaN nanowire arrays with nonpolar sidewalls for vertically integrated field-effect transistors

著者 (11件)： YU Feng (Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  YAO Shengbo (Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  ROEMER Friedhard (Univ. Kassel, Kassel, DEU) ,  WITZIGMANN Bernd (Univ. Kassel, Kassel, DEU) ,  SCHIMPKE Tilman (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU) ,  STRASSBURG Martin (OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU) ,  BAKIN Andrey (Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  SCHUMACHER Hans Werner (Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, DEU) ,  PEINER Erwin (Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  WASISTO Hutomo Suryo (Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU) ,  WAAG Andreas (Technische Univ. Braunschweig, Braunschweig, DEU)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 9  ページ： 095206,1-9  発行年： 2017年03月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能ナノ構造デバイスの構成要素としてGaN系ナノワイヤ(NW)が注目されている。本稿では,ICPドライエッチとウェットエッチを組み合わせて,滑らかな側壁を持つ六方晶形の規則的なGaN NWアレイをベースにした垂直ナノFETを開発した。様々なエッチング条件を検討した。実験によると非極性NW側壁の向きはエッチャント濃度に依存していた。表面NダングリングボンドとGaバックボンドのモデルを提案した。これによってウェットエッチのメカニズムを理解することができた。ウェットエッチのパラメータを最適化して,99個のGaN NWを集積した垂直型FETを製作した。その特性は極めて期待できるものだった。開発したトランジスタは,その垂直配置と,並列化によるオン電流の拡張性から,次世代パワーエレクトロニクスの候補となりうる。また,その優れたサブ閾値動作と正の閾値電圧は,高温ロジックアーキテクチャの可能性を広げる。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *窒化ガリウム ,  ナノ構造 ,  細線 ,  誘導結合プラズマ ,  ドライエッチング ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： *ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  *GaN ,  ナノワイヤアレイ ,  ICP

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集積 ,  電界効果トランジスタ ,  無極性 ,  側壁 ,  GaN ,  ナノワイヤアレイ