Hosoi Takuji について
Graduate School of Eng., OsakaUniversity, Suita, Osaka, Japan について
Azumo Shuji について
Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan について
Kashiwagi Yusaku について
Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan について
Hosaka Shigetoshi について
Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan について
Yamamoto Kenji について
Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan について
Aketa Masatoshi について
Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan について
Asahara Hirokazu について
ROHM Co., Ltd., Ukyo-ku, Kyoto, Japan について
Nakamura Takashi について
ROHM Co., Ltd., Ukyo-ku, Kyoto, Japan について
Kimoto Tsunenobu について
Dept. Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Nishikyo-ku, Kyoto, Japan について
Shimura Takayoshi について
Graduate School of Eng., OsakaUniversity, Suita, Osaka, Japan について
Watanabe Heiji について
Graduate School of Eng., OsakaUniversity, Suita, Osaka, Japan について
IEEE Conference Proceedings について
信頼性 について
MOSFET について
ハフニウム について
炭化ケイ素 について
誘電率 について
スズ について
バイアス について
相互コンダクタンス について
ゲート絶縁膜 について
窒化チタン について
閾値電圧 について
温度ストレス について
オキシナイトライド について
ゲートスタック について
パワーMOSFET について
トランジスタ について
高性能 について
SiC について
パワーMOSFET について
ゲートスタック について
意識 について
設計 について