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J-GLOBAL ID：201702288535714749   整理番号：17A1273394

高性能SiCパワーMOSFETのためのフリー金属/高kゲートスタックの信頼性を意識した設計【Powered by NICT】

Reliability-aware design of metal/high-k gate stack for high-performance SiC power MOSFET

著者 (11件)： Hosoi Takuji (Graduate School of Eng., OsakaUniversity, Suita, Osaka, Japan) ,  Azumo Shuji (Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan) ,  Kashiwagi Yusaku (Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan) ,  Hosaka Shigetoshi (Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan) ,  Yamamoto Kenji (Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan) ,  Aketa Masatoshi (Yamanashi Regional Office, Tokyo Electron Limited, Nirasaki, Yamanashi, Japan) ,  Asahara Hirokazu (ROHM Co., Ltd., Ukyo-ku, Kyoto, Japan) ,  Nakamura Takashi (ROHM Co., Ltd., Ukyo-ku, Kyoto, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Dept. Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Nishikyo-ku, Kyoto, Japan) ,  Shimura Takayoshi (Graduate School of Eng., OsakaUniversity, Suita, Osaka, Japan) ,  Watanabe Heiji (Graduate School of Eng., OsakaUniversity, Suita, Osaka, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 247-250  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCをベースにしたパワーMOSFETのための進歩した金属/高kゲートスタック技術を実証した。スズ電極を用いたアルミニウム酸窒化物(HfAlONゲート絶縁体)へのHf取り込みは,負と正の両方のバイアス温度ストレス下でのしきい値電圧の安定性を効果的に改善することを見出した。HfAlONの相対的誘電率はHf含有量の増加と共に増加したが,許容できる信頼性マージンの3.4倍までピーク相互コンダクタンス増強はTiN/HfA10N(Hf50%)ゲートスタックを実装することにより,最新のトレンチMOSFETで達成された。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *信頼性 ,  *MOSFET ,  ハフニウム ,  *炭化ケイ素 ,  誘電率 ,  スズ ,  バイアス ,  相互コンダクタンス ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  閾値電圧 ,  温度ストレス ,  オキシナイトライド ,  *ゲートスタック ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  ゲートスタック ,  意識 ,  設計