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J-GLOBAL ID：201702288630363064   整理番号：17A1220611

有機/結晶シリコンヘテロ接合太陽電池のためのテキスチャード結晶シリコン上のポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):(ポリ(スチレンスルホン酸)の化学ミスト堆積技術の研究

Investigating the chemical mist deposition technique for poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) on textured crystalline-silicon for organic/crystalline-silicon heterojunction solar cells

著者 (8件)： HOSSAIN Jaker (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  OHKI Tatsuya (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  ICHIKAWA Koki (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  FUJIYAMA Kazuhiko (Challenge Ltd., Sagamihara, JPN) ,  UENO Keiji (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  FUJII Yasuhiko (Toyo Univ., Saitama, JPN) ,  HANAJIRI Tatsuro (Toyo Univ., Saitama, JPN) ,  SHIRAI Hajime (Saitama Univ., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 3  ページ： 031601.1-031601.7  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルフォン酸)(PEDOT:PSS)の化学ミスト堆積(CMD)を,効率的なPEDOT:PSS/結晶シリコン(c-Si)ヘテロ接合太陽電池に関する変数としてキャビテーション周波数f,溶媒,窒素流量,基板温度T_s,及び基板dcバイアスV_sにより研究した。高速度カメラ及び微分型移動度分析特性評価は,PEDOT:PSSミストの平均サイズ及びフラックスが,f,溶媒の型,及びV_sに依存することを明らかにした。膜堆積は,正のV_sが,30~40°CのT_sにおいて,c-Si基板に印加されるとき起こった。しかるに,膜が,主に,負荷電ミストから堆積されることを意味する負のV_sでは,膜の堆積は起こらなかった。PEDOT:PSS膜の一様堆積は,T_s及びV_sを調整することにより,テキスチャードc-Si(100)基板上で起こった。c-SiへのCMD PEDOT:PSS膜の付着は,スピンコート膜のそれと比べて基板dcバイアスV_sを印加することにより大きく増倍した。2×2cm²のテキスチャードc-Si(100)上のCMD PEDOT:PSS/c-Siヘテロ接合太陽電池素子は,11.0%の電力変換効率ηで,太陽電池パラメータの良好な一様性を示した。さらに,ηは,CMDにより形成した酸化モリブデンMoO_xのARコーティング層を加えることにより,12.5%まで増大した。これらの結果は,負荷電ミストによるCMDが,T_s及びV_sを適切に調整することにより,テキスチャードc-Si基板における有機及び無機材料の一様堆積に対して大きな可能性をもっていることを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  テキスチャード加工 ,  *ポリエチレンジオキシチオフェン ,  *ポリスチレンスルホン酸 ,  *ポリマブレンド ,  *化学蒸着 ,  キャビテーション ,  基板温度 ,  バイアス ,  *ミスト ,  *酸化モリブデン ,  *反射防止膜 ,  導電性高分子 ,  有機半導体 ,  エネルギー変換効率 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *ヘテロ接合太陽電池 ,  *結晶シリコン太陽電池 ,  *PEDOT:PSS ,  *ミストCVD ,  *ARコーティング

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

引用文献 (31件)：

• K. Masuko, M. Shigematsu, T. Hashiguchi, D. Fukushima, M. Kai, N. Yoshimura, T. Yamaguchi, Y. Ichihashi, T. Mishima, N. Matsubara, T. Yamanashi, T. Takahama, M. Taguchi, E. Maruyama, and S. Okamoto, IEEE Photovoltaics 4, 1433 (2014).
• D. Fujishima, A. Yano, T. Kinoshita, M. Taguchi, E. Maruyama, and M. Tanaka, Panasonic Tech. J. 57 [4], 40 (2012).
• F. Dimroth, M. Grave, P. Beutel, U. Fiedler, C. Karcher, T. N. D. Tibbits, E. Olivia, G. Siefer, M. Schachtner, A. Wekkeli, A. W. Bett, M. Piccin, N. Blanc, C. Drazek, E. Guiot, B. Ghyselen, T. Salvetat, A. Tauzin, A. Signamarcheix, A. Dobrich, T. Hannappel, and K. Schwarzburg, Prog. Photovoltaics 22, 277 (2014).
• I. Osaka, M. Saito, T. Koganezawa, and K. Takemiya, Adv. Mater. 26, 331 (2014).
• S. Avasthi, S. Lee, Y.-L. Loo, and J. C. Sturm, Adv. Mater. 23, 5762 (2011).

タイトルに関連する用語 (7件)： 結晶シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  スチレンスルホン酸 ,  化学 ,  ミスト ,  堆積 ,  研究