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J-GLOBAL ID:201702288654886375   整理番号:17A0386067

原子層堆積法による多孔質基板内部へのコンフォーマルコーティングに対する反応槽内圧力の影響

Effect of reactor pressure on the conformal coating inside porous substrates by atomic layer deposition
著者 (5件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 021502-021502-9  発行年: 2017年03月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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原子層堆積法(ALD)は,多孔質基板に対するそのステップカバレージの良さで知られている。いくつかの進展しつつある応用では,この高ステップカバレージを空間方式ALDのような高スループットALDと結びつけることが求められている。しばしば,高スループットALDは大気圧で実施されるので,飽和ドーズ量に対する反応槽圧力の影響を調べた。多孔質基板内部へのALDは3つの主要なパラメータに支配される。すなわち,反応確率,孔のアスペクト比,前駆体の拡散係数である。このうち最後の1つが反応槽圧力に依存する。これらのパラメータの飽和ドーズ量への影響はモンテカルロ法を用いて確認した。そこでは,反応槽圧力依存性は平均自由行程を通じてもたらされる。反応律速と拡散律速の領域が識別でき,多くの現実的実験条件(低い反応槽圧力でも)では,飽和ドーズ量は拡散律速の領域にあることが示される。拡散律速領域での飽和ドーズ量の圧力依存性の表式を導出した。孔径が小さい時は飽和ドーズ量は圧力に依存しないが,孔径が大きい時は,反応槽圧力が大気圧の場合は低い圧力の場合にくらべ,高い飽和ドーズ量が要求される。しばしば,表面積の大きな多孔質基板では供給律速条件となり,飽和時間の増大を考慮する必要がある。この結果は,高い前駆体分圧と流量を利用できるかぎりは,大気圧ALDが多孔質基板内部への高スループットALDとして利用できることを示している。この点は,アルミナの大気圧の空間方式ALDで高アスペクト比の多孔質にて得られたほぼ100%のステップカバレージにより,実験的に確認される。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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薄膜成長技術・装置 
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