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J-GLOBAL ID：201702288657515055   整理番号：17A0473323

硫化アンモニウム不動態化と急速熱アニーリングによるHfGdO/GaAsゲートスタックの界面と電気的性質の調節【Powered by NICT】

Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing

著者 (8件)： Jiang S.S. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China) ,  He G. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China) ,  Liang S. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China) ,  Zhu L. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China) ,  Li W.D. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China) ,  Zheng C.Y. (School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, PR China) ,  Lv J.G. (Department of Physics and Electronic Engineering, Hefei Normal University, Hefei 230061, PR China) ,  Liu M. (Key Laboratory of Materials Physics, Anhui Key Laboratory of Nanomaterials and Nanostructure, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 704  ページ： 322-328  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,界面化学とGdドープHfO_2(HGO)薄膜堆積と急速熱アニーリング(RTA)によってGa酸化物とAsの除去の前に(NH_4)2S溶液を用いたGaAs表面化学種の還元はX線光電子分光法(XPS)により調べた。さらに,GaAs基板にゲート誘電体としてスパッタリング法によって誘導されHGOに基づいたMOSキャパシタの電気的性質に及ぼす表面不動態化と急速熱アニーリングの効果を,容量-電圧(C V)と漏れ電流密度-電圧(J V)測定によって検出された。電気解析に基づいて,フラットバンド電圧(V),ヒステリシス(ΔV),酸化物電荷密度(O_ox),境界トラップされた酸化物電荷密度(N_bt)と漏れ電流密度の減少のような電気的性質の絶えず改善が観測されたことが認められた。特に,16.72Vと1.19Vのフラットバンド電圧,ヒステリシス0.04VのΔV,バイアス電圧1Vで1.54×10~ 5cm~2の漏れ電流密度,全正電荷密度と境界トラップ電荷密度6.09×10~12cm~ 2と2.54×10~11cm~ 2のそれぞれの誘電定数は600°Cで焼なましたHGO薄膜を与え,将来のCMOSデバイスにおける潜在的高kゲート誘電体。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒステリシス ,  ドーピング ,  誘電率 ,  *ヒ素 ,  *界面 ,  *RTA【熱処理】 ,  *ガリウム ,  *ヒ化ガリウム ,  X線光電子分光法 ,  *不動態化 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  フラットバンド電圧 ,  漏れ電流密度 ,  *ゲートスタック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高kゲート誘電体 ,  界面化学 ,  XPS ,  電気的性質 ,  CMOS素子

分類 (9件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  電池一般  (YB04010O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 硫化アンモニウム ,  不動態化 ,  急速熱アニーリング ,  GaAs ,  ゲートスタック ,  界面 ,  電気的性質 ,  調節