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J-GLOBAL ID：201702288775302552   整理番号：17A1811549

軽イオンビーム処理半絶縁性GaAs光伝導アンテナによる高効率テラヘルツ生成

Efficient terahertz generation from lightly ion-beam-treated semi-insulating GaAs photoconductive antennas

著者 (3件)： SUN Caiming (Chinese Univ. Hong Kong, Shen Zhen, CHN) ,  SUN Caiming (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  ZHANG Aidong (Chinese Univ. Hong Kong, Shen Zhen, CHN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 10  ページ： 102202.1-102202.4  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビーム法を使用して,半絶縁性GaAsテラヘルツ(THz)光伝導アンテナ(PCA)を軽処理して,キャリア加速層,および,キャリア捕捉層という2層を有する新型構造が,高効率高出力THzエミッタになり得ることを実証した。高効率THz生成におけるイオンビームから発生する空孔欠陥の役割について,体系的に述べた。約2.5μmにおける欠陥のピーク分布は,THz生成中の光キャリア用の高効率捕捉層を提供する。高効率GaAs PCAを製造するための共振条件(300KeV,1×10¹⁵cm^-2)での水素イオン注入が,再現可能であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アンテナ ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *発生 ,  イオン照射 ,  多層 ,  キャリア捕獲 ,  *空孔欠陥 ,  *水素 ,  *イオン注入
準シソーラス用語： イオンビーム照射 ,  キャリア加速 ,  *テラヘルツ波発生 ,  二層 ,  *光伝導アンテナ

分類 (1件)： 電磁場中の粒子の運動及び放射  (BD01030Y)

引用文献 (20件)：

• H. A. Hafez, X. Chai, A. Ibrahim, S. Mondal, D. Ferachou, X. Ropagnol, and T. Ozaki, J. Opt. 18, 093004 (2016).
• D. H. Auston, K. P. Cheung, and P. R. Smith, Appl. Phys. Lett. 45, 284 (1984).
• S. Makram-Ebeid and B. Tuck, Semi-insulating III-V Materials (Shiva, Nantwich, 1982).
• M. Tani, S. Matsuura, K. Sakai, and S. Nakashima, Appl. Opt. 36, 7853 (1997).
• M. Tani, K. Sakai, and H. Mimura, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1175 (1997).

タイトルに関連する用語 (6件)： イオンビーム ,  半絶縁性 ,  GaAs ,  光伝導アンテナ ,  高効率 ,  テラヘルツ