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J-GLOBAL ID：200902150359723435   整理番号：97A1011569

低温成長GaAsと半絶縁性GaAsを用いる光伝導性アンテナの放射特性

Emission characteristics of photoconductive antennas based on low-temperature-grown GaAs and semi-insulating GaAs.

著者 (4件)： TANI M (Communications Res. Lab., Hyogo, JPN) ,  MATSUURA S (Communications Res. Lab., Hyogo, JPN) ,  SAKAI K (Communications Res. Lab., Hyogo, JPN) ,  NAKASHIMA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Optics  (Applied Optics)
巻： 36  号： 30  ページ： 7853-7859  発行年： 1997年10月20日 
JST資料番号： B0026B  ISSN： 1559-128X  CODEN： APOPAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温成長(LT)GaAsと半絶縁性(SI)GaAs上に作製す...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温成長 ,  GaAs ,  半絶縁性 ,  アンテナ ,  放射特性