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J-GLOBAL ID：201702288819947755   整理番号：17A1122200

(EMI)相乗Electromagnetic干渉に関連したバリウムヘキサフェライトと導電性高分子相の臨界濃度への機構的洞察遮蔽【Powered by NICT】

Mechanistic Insight into the Critical Concentration of Barium Hexaferrite and the Conductive Polymeric Phase with Respect to Synergistically Electromagnetic Interference (EMI) Shielding

著者 (6件)： Choudhary Harish K. (Materials Research Centre, Indian Institute of Science, 560012, Bangalore, India) ,  Pawar Shital P. (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, 560012, Bangalore, India) ,  Kumar Rajeev (Materials Research Centre, Indian Institute of Science, 560012, Bangalore, India) ,  Anupama A. V. (Materials Research Centre, Indian Institute of Science, 560012, Bangalore, India) ,  Bose Suryasarathi (Department of Materials Engineering, Indian Institute of Science, 560012, Bangalore, India) ,  Sahoo Balaram (Materials Research Centre, Indian Institute of Science, 560012, Bangalore, India)
資料名： Chemistryselect  (Chemistryselect)
巻： 2  号： 2  ページ： 830-841  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2528A  ISSN： 2365-6549  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波吸収のための導電性高分子をもつ硬磁性ナノ材料における相乗吸収と反射の必要性を示した。ワックスマトリックス中の,相的に純粋なバリウムヘキサフェライト(BFO)とポリアニリン(PANI)の濃度を変えて種々のナノ複合材料を調べた。臨界濃度BFO(ワックス:PANI:BFO::50:42:08wt%,すなわち,そのパーコレーションしきい値以下のBFO組成)を見出しナノ複合材料のためのオーム損失,誘電損失と磁気損失は99.85%のピークマイクロ波減衰を与える最大のうち,85%減衰は吸収によるものであった。この濃度を超えると,いずれかの側に,遮蔽有効性は減少した。試験片の厚さが1mmから3mmに増加したとき,吸収と反射の間の異常な相乗作用が観察された。相乗作用の基になる機構は,複素誘電率及び透磁率値に基づく構造モデルによって説明した。著者らのモデルは,マイクロ波吸収を向上させるための導電性相における臨界濃度磁性材料の必要性を示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電損失 ,  複素誘電率 ,  ワックス ,  磁性材料 ,  磁損 ,  透磁率 ,  *導電性高分子 ,  マイクロ波 ,  抵抗損 ,  相乗作用 ,  ナノ複合材料 ,  *導電性
準シソーラス用語： パーコレーション閾値 ,  マイクロ波吸収 ,  *臨界濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バリウムヘキサフェライト ,  マイクロ波吸収における臨界濃度 ,  EMI遮蔽 ,  マイクロ波吸収 ,  ポリアニリン

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： EMI ,  干渉 ,  バリウム ,  ヘキサフェライト ,  導電性高分子 ,  臨界濃度 ,  洞察 ,  遮蔽