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J-GLOBAL ID：201702288855338612   整理番号：17A0953467

デュアルレーザパルス照射による有機半導体薄膜における過渡種からの光電子の検出

Photoelectron detection from transient species in organic semiconducting thin films by dual laser pulse irradiation

著者 (5件)： HOSOKAI Takuya (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MATSUZAKI Hiroyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FURUBE Akihiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  FURUBE Akihiro (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  NAKAMURA Ken (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 2  ページ： 022401.1-022401.4  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Nd³⁺:YAGパルスレーザを,低真空中と空気中における有機半導体薄膜からの2光子光電子放出を行う光源として使った。2光子過程による光イオン化は,両方の環境中で光電子放出電流を測定して確かめた。ポンプ-プローブシステムを構成して,ポンプ光の照射によって形成される過渡種からの光電子放出を,1光子過程を通したポンプパワーによる光電流の線形増加の結果として検出した。このようにして,雰囲気環境中での励起状態エネルギー準位を決定する2光子光電子収率分光法と呼ぶ新しい方法を提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： Nd-YAGレーザ ,  *二光子吸収 ,  レーザ照射 ,  *有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  ポンププローブ法 ,  光電流 ,  励起状態 ,  *光電子放出 ,  LUMO ,  HOMO ,  ポリアセン

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (25件)：

• H. Ishii, K. Sugiyama, E. Ito, and K. Seki, Adv. Mater. 11, 605 (1999).
• J. Hwang, A. Wan, and A. Kahn, Mater. Sci. Eng. R 64, 1 (2009).
• N. Koch, Phys. Status Solidi: Rapid Res. Lett. 6, 277 (2012).
• N. Ueno and S. Kera, Prog. Surf. Sci. 83, 490 (2008).
• S. Duhm, A. Gerlach, I. Salzmann, B. Bröker, R. L. Johnson, F. Schreiber, and N. Koch, Org. Electron. 9, 111 (2008).

タイトルに関連する用語 (5件)： デュアル ,  レーザパルス ,  有機半導体 ,  薄膜 ,  光電子