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J-GLOBAL ID：201702289086050397   整理番号：17A1832966

バルクO SiP結晶の制御可能なシードフラックス成長とオプトエレクトロニクス特性【Powered by NICT】

Controllable seeded flux growth and optoelectronic properties of bulk o-SiP crystals

著者 (8件)： Li Chunlong (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Wang Shanpeng ,  Zhang Xixia ,  Jia Ning ,  Yu Tongtong ,  Zhu Min ,  Liu Duo ,  Tao Xutang
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 46  ページ： 6986-6991  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料は,最近それらの有望なオプトエレクトロニクス応用のために大きな関心を集めている。斜方晶SiP(o SiP)は,2D層状結晶であり,オプトエレクトロニクス技術に大きな影響を与える可能性がある。大型バルクO SiP単結晶をシードフラックス法により成長させることに成功した。O SiP結晶の大きさと形態は成長条件を変えることによって制御することができた。O SiPのキャリア移動度とバンドギャップを詳細に特性化した。O SiPの光応答特性を調べ,比較的速い応答を実証した。実験結果はO SiPは電子技術およびオプトエレクトロニクスへの応用のための優れた候補であることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 応答特性 ,  キャリア移動度 ,  単結晶 ,  *オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  斜方晶系 ,  *フラックス法 ,  キャラクタリゼーション ,  バンドギャップ ,  結晶 ,  電子技術
準シソーラス用語： 成長条件 ,  *システムインパッケージ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  SiP ,  結晶 ,  フラックス成長 ,  オプトエレクトロニクス