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J-GLOBAL ID：201702289102983562   整理番号：17A0379117

0温度係数点を利用した65nm CMOSにおける電圧基準をサブI V,87dB PSRR,5.6ppm/°C温度係数【Powered by NICT】

A 5.6 ppm/°C Temperature Coefficient, 87-dB PSRR, Sub-1-V Voltage Reference in 65-nm CMOS Exploiting the Zero-Temperature-Coefficient Point

著者 (3件)： Jiang Jize (Nanyang Technological University, Singapore) ,  Shu Wei (Nanyang Technological University, Singapore) ,  Chang Joseph S. (Nanyang Technological University, Singapore)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 52  号： 3  ページ： 623-633  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では, 40°Cから125°Cまで5.6ppm/°Cの温度係数(TC)を特徴とする65nm CMOSで実現したMOSFETのみ電圧基準,直流800kHz(と1MHzで75dB)から87dBの電源電圧変動除去比,0.8Vの最小電源電圧,および13μWの電力消費を述べた。これらの特性は,MOSFETの零Tc点を利用し,新しい曲率補償技術,能動減衰器,及びインピーダンス適応周波数補償方式と組み合わせることにより達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： インピーダンス ,  電力消費 ,  周波数補償 ,  *電圧 ,  曲率 ,  MOSFET ,  減衰器 ,  *温度係数 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 電源電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 温度係数 ,  CMOS ,  サブ ,  PSRR