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J-GLOBAL ID：201702289133252267   整理番号：17A1637448

0.35μm SiGe BiCMOS技術のための放射信頼性【Powered by NICT】

Radiated reliability for 0.35μm SiGe BiCMOS technology

著者 (6件)： Wu Xue (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory. Chongqing, 400060, China) ,  Cui Wei (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory. Chongqing, 400060, China) ,  Zhu Kunfeng (Chongqing Semi-chip Electronics Co., Ltd, Chongqing 401332, China) ,  Yang Yonghui (Chongqing Semi-chip Electronics Co., Ltd, Chongqing 401332, China) ,  Tan Kaizhou (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory. Chongqing, 400060, China) ,  Tang Zhaohuan (Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory. Chongqing, 400060, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.35μm SiGe BiCMOS技術に作製したH BTとMOSFETの放射信頼性の研究は~60Coγ線照射源を用いた500mGy(Si)/sと1mGy(Si)/sの線量率で提示した。MOSFETのSiGeH BTおよび伝達特性のGummel特性を照射前後で測定した。ベース電流(IB),漏れ電流(IOFF)としきい値電圧(VTH)はGummelと伝達特性から抽出した。著者らの結果は,IBのわずかな増加とSiGeH BTデバイスのためのβの観察された減少であることを示した。NMOSトランジスタに対して,vt_HにおけるIOFFとわずかなドリフトにおける顕著な増加。線量率効果はSiGeH BTデバイスに見られるされていない;が,NMOSトランジスタで観察されている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  漏れ電流 ,  *信頼性 ,  γ線照射 ,  線量率
準シソーラス用語： 線量率効果 ,  閾値電圧 ,  ベース電流 ,  伝達特性 ,  *SiGe BiCMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiGe ,  BiCMOS ,  放射