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J-GLOBAL ID:201702289142027010   整理番号:17A1380895

RF共スパッタリング法で成長させたジルコニウムドープしたHfO_2薄膜の微細構造,表面および界面の性質【Powered by NICT】

Microstructural, surface and interface properties of zirconium doped HfO2 thin films grown by RF co-sputtering technique
著者 (6件):
資料名:
巻: 143  ページ: 288-293  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Hf_1 xZr_xO_2ゲート誘電体薄膜をジルコニウムターゲットのRFパワーの変動によるRF反応性共スパッタリングによりSi(100)基板上に堆積した。様々なZr含有量のHf_1 xZr_xO_2膜の組成,形態,構造および光学的性質をX線光電子分光法,走査電子顕微鏡,X線回折およびRaman分光法によって系統的にそれぞれ調査した。同時スパッタ薄膜の電気特性を容量-電圧及び電流密度-電圧測定により調べた。スパッタHf_1 xZr_xO_2膜中のZr含有量は,90WのRF電力で19%まで増加することが分かった。Zr含有量の増加に伴い,同時スパッタ膜の結晶挙動の増強が観測された。FESEM顕微鏡写真は,ZrターゲットのRF電力の増加に伴う粒径の増加を示した。Hf_1 xZr_xO_2膜の主要な生成相をRaman分光法研究から明らかになったジルコニウム置換単斜晶相であった。酸化物(Q_ox)と界面電荷密度(D_it)は,高い周波数(1 MHz)容量-電圧曲線から推定した。D_itはZrターゲットのための45WのRF電力で堆積した膜であり,Hf_1 xZr_xO_2/Si界面での不飽和結合と構造緩和の還元に起因するための最小値を有していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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