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J-GLOBAL ID：201702289157204694   整理番号：17A0381608

高C_x/Co13nm容量ギャップ変換円板共振器【Powered by NICT】

High C_x/Co 13nm-capacitive-gap transduced disk resonator

著者 (3件)： Nilchi Jalal Naghsh (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California at Berkeley, CA, USA) ,  Liu Ruonan (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California at Berkeley, CA, USA) ,  Nguyen Clark T.-C. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California at Berkeley, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 924-927  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Quad MHz容量性ギャップ形質導入されたディスク共振器に達成された13.2nmの小さい電極への共振器ギャップはわずか5.5Vのバイアス電圧で1.62%以上の測定された電気機械結合強度(C_x/C_o)を可能にした29,640の無負荷Qを保持する,VHFでの記録を設定することを480のk_t~2q製品であった。いくつかの重要な発見はこの成功した実証に寄与し,以前に達成可能なよりもかなり平滑なエッチ側壁を可能にし,より均一な側壁犠牲層堆積を可能にし,アスペリティとそれに関連する強電場を除去することにより構造プルインを防止することを修飾したポリシリコンエッチレシピを含んでいた。高(G_x/C_o)とQのこの組み合わせは,低雑音発振器の電力消費を減少させ,零静止全ての機械的受信機のための感度を改善し,容量性ギャップ形質導入された共振器にアクセス可能なフィルタの範囲を広げる非常に改良された挿入損失性能を持つより主流無線通信応用にある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アスペリティ ,  *円板 ,  電力消費 ,  無負荷 ,  挿入損 ,  *共振器 ,  受信機 ,  エッチング ,  通信応用 ,  発振器 ,  形質導入
準シソーラス用語： ワイヤレス ,  低雑音 ,  犠牲層 ,  バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： ギャップ ,  円板 ,  共振器