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J-GLOBAL ID：201702289255496274   整理番号：17A1995829

層状物質におけるbuilding defectによる物性制御と物質創製

Synthesis and control of physical properties of layered materials through building defects

著者 (4件)： 森孝雄 (物質・材料研究機構) ,  野村明子 (東北大 金属材料研) ,  湯葢邦夫 (東北大 金属材料研) ,  宍戸統悦 (東北大 金属材料研)
資料名： 東北大学金属材料研究所新素材共同研究開発センター共同利用研究報告書(CD-ROM)
巻： 2016  ページ： 61-62  発行年： 2017年07月06日 
JST資料番号： L3700B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： YCrB₄など層状ホウ化物において,試料合成の条件において不可避と考えられていたbuilding defectの無い,α-YCrB₄試料の合成に成功し,磁気的性質の大きな変化が確認された。そこで本研究では,層状ホウ化物の創製によってbuilding defectをいかにより詳細に制御できるか,また,熱電的性能を調べることを目的に,building defectの制御による熱電的性質の制御および層状ホウ化物の熱電材料としての開発を試みた。得られたホウ素2次元層状化合物について,斬新な結晶育成と詳細な結晶構造解析,TEM観察,熱伝導率の評価などの物性を評価した。その結果,1)ナノスケールのbuilding defectが熱伝導率に顕著な影響を及ぼすことだけでなく,YCrB₄化合物が優れたp.n制御性を有することが示唆された。2)HoAlB₄などのスピングラス的な振舞いの起源が,意図的な金属サイト置換試料の磁気的性質により,こうした乱れの導入によることが示唆された。

シソーラス用語： *ホウ化物 ,  *イットリウム化合物 ,  *クロム化合物 ,  ホルミウム化合物 ,  エルビウム化合物 ,  Neel温度 ,  相転移 ,  *熱電材料 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  スピンガラス ,  乱れ ,  結晶構造解析 ,  結晶成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  熱伝導率 ,  格子欠陥 ,  *層状化合物 ,  電気特性 ,  磁気的性質 ,  ネットワーク構造 ,  単結晶
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  熱電特性

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

引用文献 (11件)：

• T. Mori, S. Okada, K. Kudou, Journal of Applied Physics 97, 10A910 (2005).
• T. Mori, H. Borrmann, S. Okada, K. Kudou, A. Leithe-Jasper, U. Burkhardt, Yu. Grin, Physical Review B 76 (2007) 064404.
• T. Mori, I. Kuzmych-Ianchuk, K. Yubuta, T. Shishido et al., Journal of Applied Physics, 111, 07E127 (2012).
• “Thermoelectric Nanomaterials”, ed. K. Koumoto and T. Mori, Springer Series in Materials Science (Springer, Heidelberg, 2013) pp. 1-375.
• K. Yazawa and A. Shakouri, Scripta Materialia, 111, 58 (2016).

タイトルに関連する用語 (3件)： 物性 ,  物質 ,  創製