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J-GLOBAL ID：201702289273201931   整理番号：17A0551716

多重露光コロイドリソグラフィによってパターン形成したGaN/サファイアテンプレート上に領域選択成長させた周期的ナノピラミッド発光ダイオードアレイ

Selective-area growth of periodic nanopyramid light-emitting diode arrays on GaN/sapphire templates patterned by multiple-exposure colloidal lithography

著者 (18件)： XIONG Zhuo (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  XIONG Zhuo (Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN) ,  WEI Tongbo (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WEI Tongbo (Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN) ,  ZHANG Yonghui (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Yonghui (Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN) ,  ZHANG Xiang (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Xiang (Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN) ,  YANG Chao (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YANG Chao (Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN) ,  LIU Zhiqiang (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Zhiqiang (Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN) ,  YUAN Guodong (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YUAN Guodong (Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN) ,  LI Jinmin (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LI Jinmin (Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN) ,  WANG Junxi (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Junxi (Beijing Engineering Res. Center for the 3rd Generation Semiconductor Materials and Application, Beijing, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 11  ページ： 114003,1-7  発行年： 2017年03月17日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 照明用LED製造で一般的な2次元構造のGaNに成長させるLEDでは,圧電分極が強くなり,発光効率が低下する。対策として,ナノピラミドLEDのような3次元構造のGaNを成長させることで,分極効果を低減する方法が考えられる。本稿では,簡素で低コストの多重露光コロイドリソグラフィによって様々なパターンのホールアレイを製作可能なことを示した。この方法で製作したGaN/サファイアのテンプレート上に,領域選択MOCVDによって様々なアレイパターンのナノピラミッドLEDを成長させた。露光条件とホールアレイ形状の関係,領域選択MOCVDにおけるキャリアガスとナノピラミッド形成の関係を考察した。製作したLEDを評価し,FLおよびCLスペクトルに広い黄色の発光を確認した。周期的ナノ構造テンプレートに選択成長させるナノピラミッドアレイLEDは,次世代照明において有望であると考える。

シソーラス用語： 多重露光 ,  リソグラフィー ,  窒化ガリウム ,  選択成長 ,  ナノ構造 ,  角錐 ,  アレイ ,  *発光ダイオード
準シソーラス用語： GaN ,  コロイドリソグラフィー ,  ナノアレイ ,  ナノピラミッド ,  *可視光発光ダイオード ,  領域選択成長

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  光源,照明器具  (NB12020F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 多重露光 ,  コロイドリソグラフィ ,  パターン形成 ,  GaN ,  サファイア ,  テンプレート ,  領域選択成長 ,  ナノピラミッド ,  発光ダイオードアレイ