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J-GLOBAL ID：201702289273528633   整理番号：17A0499669

プラズマと蒸着エネルギーによる薄膜成長と微細構造の経路の成形: 詳細な理論,計算,および実験的分析

Shaping thin film growth and microstructure pathways via plasma and deposition energy: a detailed theoretical, computational and experimental analysis

著者 (3件)： Sahu Bibhuti Bhusan (Center for Advanced Plasma Surface Technology (CAPST), NU-SKKU Joint Institute for Plasma Nano Materials, Department of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Korea. [e-mail] [e-mail] [e-mail]) ,  Han Jeon Geon ,  Kersten Holger
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 7  ページ： 5591-5610  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 制御成長および微細構造を有するプラズマ支援蒸着方法を用いた薄膜の科学および工学を理解することは,現代のナノテクノロジーにおける重要な問題であり,基礎研究および技術的応用の両方に影響を及ぼす。電子,イオン,ラジカル種,および中性物質のような種々のプラズマパラメータは,核形成および成長,ならびに対応する膜の微細構造,およびプラズマ支援表面化学において重要な役割を果たす。膜の微細構造は,電子,イオン,ラジカル種および活性化された中性物質によって制御される蒸着エネルギーとも密接に関連している。プラズマを支配する基本的な物理的性質に関する総合的な研究では,特定の実験条件下でそれらの構造や修飾能を定量することに努力している。プラズマ中の種の表面活性の同定,決定,および定量化のための要件がある。ここでは,理論モデルを用いてプラズマパラメータの進化を調べるために,水素化アモルファスシリコンと結晶シリコン(c-Si:H)プロセスの詳細な研究を報告した。水素とシランの反応性混合物によって,プラズマ強化化学蒸着法を用いて行った蒸着プロセスを特性化した。その後,蒸着膜の微細構造の成長におけるそれらの役割を調べるために,基板上のエネルギーフラックスの様々な寄与を考慮し,モデル化した。数多くのプラズマ診断ツールを用いて,実験データを理論結果と比較した。種々の動作条件下での堆積エネルギーフラックスを考慮して,膜成長および微細構造を評価した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *プラズマ ,  *蒸着 ,  *薄膜成長 ,  *微細構造 ,  核形成 ,  物理的性質 ,  *ケイ素 ,  アモルファスシリコン ,  化学蒸着 ,  キャラクタリゼーション ,  フラックス【流束】
準シソーラス用語： アモルファス ,  アモルファスケイ素 ,  エネルギーフラックス ,  シリコン ,  化学蒸着法 ,  結晶シリコン ,  定量化

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズマ ,  蒸着 ,  エネルギー ,  薄膜成長 ,  微細構造 ,  経路 ,  理論 ,  計算 ,  実験的分析