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J-GLOBAL ID：201702289280531713   整理番号：17A0402507

進行MRAM応用のためのCoFeB/MgO/CoFeB構造に基づく新しいMgO障壁の評価【Powered by NICT】

Evaluation of a new MgO barrier based on CoFeB/MgO/CoFeB structure for advanced MRAM applications

著者 (8件)： Smirnov E. (Crocus Nanoelectronics, Moscow, Russia) ,  Sedoykina T. (Crocus Nanoelectronics, Moscow, Russia) ,  Orlov A. (Crocus Nanoelectronics, Moscow, Russia) ,  Portemont C. (Crocus Technology, 5 Place Robert Schumann, BP 1510, 38025 Grenoble Cedex 1, France) ,  Ducruet C. (Crocus Technology, 5 Place Robert Schumann, BP 1510, 38025 Grenoble Cedex 1, France) ,  Alvarez-Herault J. (Crocus Technology, 5 Place Robert Schumann, BP 1510, 38025 Grenoble Cedex 1, France) ,  Pereira J. (Crocus Technology, 5 Place Robert Schumann, BP 1510, 38025 Grenoble Cedex 1, France) ,  Danilkin E. (Crocus Nanoelectronics, Moscow, Russia)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 167  ページ： 6-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MRAM技術はその欠点は全くなかった最も一般的なタイプのメモリ,DRAM,SRAMおよびフラッシュなどのすべての利点を提供する機会を提供する。CoFeB/MgO/CoFeB構造に基づく磁気トンネル接合(MTJ)は,将来のスピントロニクス,特にその高いトンネル磁気抵抗(TMR)と妥当な範囲抵抗面積積(RA)のためにMRAMメモリ動作のための非常に有望である。そのような構造中のMgO障壁の堆積過程は,MTJの良好なパラメータを達成するために最も困難な課題の一つであり,非晶質CoFeB上の薄いMgOの不十分な結晶化のために障壁粗さ,特に低RA領域に強く影響する。通常のMgO障壁の生成は,プロセスを複雑にし,MgによるCoFeB酸化のリスクを提供する異なるモジュール中のMg酸化の必須段階のために長い時間を要する。Mg挿入と高いAr分圧によるその場MgO RFスパッタリングを用いて障壁形成の新しいアプローチは最先端MRAM応用におけるRminとRmaxの間に大きなデルタをもつ低「読み取り」と「書き込み」電流に必要なMTJで使用できるTMRとRAの非常に有望な比を持つことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分圧 ,  スピントロニクス ,  不揮発性メモリ ,  *マグネシウム ,  DRAM ,  スパッタリング ,  磁気 ,  SRAM ,  非晶質 ,  *酸化マグネシウム ,  多層膜 ,  アルゴン ,  記憶装置
準シソーラス用語： トンネル磁気抵抗 ,  磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： MRAM ,  PVD ,  スピントロニクス ,  トンネル磁気抵抗 ,  不揮発性メモリ ,  磁気多層膜 ,  磁気トンネル接合

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： MRAM ,  応用 ,  MgO ,  障壁 ,  評価