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J-GLOBAL ID：201702289289216048   整理番号：17A1033118

65nmバルクと薄膜BOX FDSOIプロセスにおけるNMOS,PMOSに対する負バイアスボディバイアスに依存する温度不安定性による分解【Powered by NICT】

Degradation caused by Negative Bias temperature instability depending on Body Bias on NMOS or PMOS in 65 nm bulk and thin-BOX FDSOI processes

著者 (2件)： Kishida Ryo (Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology) ,  Kobayashi Kazutoshi (Department of Electronics, Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDTM  ページ： 122-123  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い埋込み酸化膜(BOX)層を有する完全空乏化シリコンオンインシュレータ(FDSOI)に対する逆ボディバイアス(RBB)制御は待機モードにおける電力消費量を軽減する。しかし,負バイアス温度不安定性(NBTI)に起因する分解はRBBによって変化した。NMOSまたはPMOSへのRBBを適用することにより,リング発振器の経年劣化を測定した。バルクでは,増加しきい値電圧はチャネルにおけるキャリアを減少させるので,RBBにPMOSはNBTI誘起分解を抑制した。しかし正のBTI(PBTI)はNMOSにおいては支配的でないので,RBBにNMOSはNBTI誘起分解を抑制しない。FDSOIでは,BOX層は基板への流れがキャリア妨害だけでなくPMOS,NMOSへのRBBはNBTI誘起分解を抑制した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力消費 ,  *薄膜 ,  *不安定性 ,  チャネル ,  リング発振器 ,  *NMOS構造
準シソーラス用語： 正バイアス温度不安定性 ,  閾値電圧 ,  経時劣化 ,  NBTI ,  *基板バイアス ,  埋込み酸化膜 ,  *PMOS構造 ,  *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (11件)： バルク ,  薄膜 ,  BOX ,  FDSOI ,  プロセス ,  NMOS ,  PMOS ,  バイアス ,  ボディバイアス ,  不安定性 ,  分解