Pi T. W. について
National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu 30076, Taiwan について
Chen W. S. について
National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu 30076, Taiwan について
Lin Y. H. について
Graduate Institute of Applied Physics and Department of Physics, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan について
Cheng Y. T. について
Department of Electrophysics, National Chiayi University, Chiayi 60004, Taiwan について
Wei G. J. について
Department of Electrophysics, National Chiayi University, Chiayi 60004, Taiwan について
Lin K. Y. について
Graduate Institute of Applied Physics and Department of Physics, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan について
Cheng C. -P. について
Department of Electrophysics, National Chiayi University, Chiayi 60004, Taiwan について
Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan について
Hong M. について
Graduate Institute of Applied Physics and Department of Physics, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan について
Applied Physics Letters について
MOS構造 について
化合物半導体 について
原子 について
金 について
銀 について
静電容量 について
電子構造 について
分散【dispersion】 について
III-V族半導体 について
吸着原子 について
接合容量 について
表面電子構造 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
蓄積 について
キャパシタンス について
周波数分散 について
GaAs について
表面電子構造 について
関連性 について