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J-GLOBAL ID：201702289566206766   整理番号：17A0899193

アルミニウムと窒化アルミニウムの接合界面解析とその応用

著者 (7件)： 寺崎伸幸 (三菱マテリアル) ,  秋山和裕 (三菱マテリアル) ,  長友義幸 (三菱マテリアル) ,  黒光祥郎 (三菱マテリアル) ,  熊本明仁 (東大) ,  柴田直哉 (東大) ,  幾原雄一 (東大)
資料名： Fine Ceramics Report  (Fine Ceramics Report)
巻： 35  号： 3  ページ： 121-123  発行年： 2017年07月20日 
JST資料番号： L0506A  ISSN： 0911-5269  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： より強固なアルミニウムとセラミック基板の接合を目的に,これまで十分に解明されていなかった原子レベルの界面接合のメカニズムを,STEM(透過型走査電子顕微鏡)を用いて直接観察した事例とその応用例を紹介した。STEM-エネルギー分散型X線分析(EDS)マップによりAl合金やAlN単結晶中のAlやNだけでなくAl合金中に含まれる添加元素Mg,Si,Oについて原子レベルの空間分布の情報が得られる。観察結果によれば,MgとOは接合界面の1st層状構造を中心に偏析し,Siは界面遷移構造から外れてAl合金側に偏析していることがよくわかる。この原子レベルで可視化された界面構造をモデル化して第一原理計算を用いて接合界面の安定性が評価できる。

シソーラス用語： *基板 ,  セラミックパッケージ ,  *界面 ,  接合部 ,  *窒化アルミニウム ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *アルミニウム合金 ,  単結晶 ,  アルミニウム ,  窒素 ,  合金元素 ,  元素分析 ,  偏析 ,  可視化 ,  表面構造 ,  第一原理 ,  安定性
準シソーラス用語： セラミック基板

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (6件)：

• M. Toriumi, H. Tanaka and H. Yoshida : “The Development of Al circuit substrate for Power Module”, IMC 1994 Proceedings, p104-109 (1994)
• Y. Nagatomo, T. Nagase : “The study of the Power Modules with high reliability for EV use”, Proceedings of 17th International Conference of Electric Vehicles (EVS-17), CD-ROM (2000)
• 長友義幸,長瀬敏之,島村正一:“有限要素法によるパワーモジュール用基板の熱サイクル特性解析”,エレクトロニクス実装学会会誌, Vol.3,No.4,p330-334 (2000)
• T. Harada, Y. Baba : “Development of IGBT Module for the TOYOTA Hybrid System”, Proceedings of 15th International Conference of Electric Vehicles (EVS-15), CD-ROM (1998)
• Y. Kuromitsu et al. : “Direct-bonded aluminum on aluminum nitride substrates by transient liquid phase bonding”, Journal of the Ceramic Society of Japan, 125(3), p165-167 (2017)

タイトルに関連する用語 (5件)： アルミニウム ,  窒化アルミニウム ,  接合界面 ,  解析 ,  応用